[发明专利]半导体存储器件的熔断器及其修理工艺无效
| 申请号： | 200510054447.8 | 申请日： | 2005-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1713378A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 安俊权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储器件的熔断器及其修理工艺。该熔断器包括：形成在半导体衬底下部结构上的多层互连的下导电膜、多层互连的向上与下导电膜隔开从而在其间限定预定垂直间隔的上导电膜、以及将上和下导电膜彼此垂直连接并形成熔断器体的接触电极。下导电膜具有与上导电膜不一致的形式。利用此结构，虑及激光束照射区，本发明可以实现熔断器长度及相邻熔断器之间距离的稳定最小化，以用于半导体存储器件的高度集成。按此方式，本发明执行使用激光束切断接触电极和/或上导电膜的修理工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 熔断器 及其 修理 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件的熔断器，包括：形成在半导体衬底下部结构上的多层互连的下导电膜；所述多层互连的上导电膜，其向上与该下导电膜隔开，从而在其间限定预定的垂直间隔；以及接触电极，其垂直地将所述上和下导电膜彼此连接，并形成熔断器体，其中，该下导电膜具有与该上导电膜的形式不一致的形式。
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