[发明专利]超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法

摘要

本发明揭示一种超高压MOS晶体管元件，其包括一延伸到第一介电层上的栅极，第一介电层具有一空洞位于栅极的边缘下方，以及一第二介电层，覆盖栅极及第一介电层，并保留空洞。该第一介电层可为一场氧化层或浅沟槽隔离区域的形式，且可进一步具有一增厚介电层位于场氧化层或浅沟槽隔离区域之上。增厚介电层可另为低介电系数的材料，或浅沟槽隔离区域可另填充多孔性氧化物材料，则可不具有空洞。本发明的超高压MOS晶体管元件的栅极边缘具有相对较低的垂直电场。

主权项

1.一种超高压MOS晶体管元件，包括：一衬底，具有一第一导电性；一源极掺杂区，具有一第二导电性，及设于该衬底中；一第一掺杂区，具有该第一导电性，及设于该衬底中，并且紧邻于该源极掺杂区；一第一离子井，具有该第一导电性，及包围该源极掺杂区以及该第一掺杂区；一栅极介电层，形成于该源极掺杂区及该第一离子井之上；一第一介电层，形成在一半导体区域上，并与该栅极介电层相衔接；一漏极掺杂区，具有该第二导电性，及远离该源极掺杂区，且设于该第一介电层的一侧；一第二离子井，具有该第二导电性，且包围该漏极掺杂区；一栅极，设于该栅极介电层上，并延伸到该第一介电层上；其中，该第一介电层具有一空洞位于该栅极的边缘下方；及一第二介电层，覆盖该栅极、该栅极介电层、及该第一介电层，并保留该空洞。