[发明专利]超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510022959.6 | 申请日： | 2005-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1988175A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 高境鸿 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超高压 金属 氧化物 半导体 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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