[发明专利]飞秒脉冲激光制备β－FeSi2半导体薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510018221.2 | 申请日： | 2005-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1664989A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 周幼华;陆培祥;郑启光 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/22 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种飞秒脉冲激光制备β－FeSi2半导体薄膜的方法，将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空，气压10－5～10－3Pa，以FeSi2合金为靶材，将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内，靶材和基片平行，且相距20～50mm，基片加热到20℃～700℃，然后保温，以1012～1015W/cm2的峰值功率密度的激光束照射靶材，喷出的等离子体在基片上沉积，沿基片晶面外延生长形成薄膜。本发明适合于不同的基底，在较低的温度下，短时间内合成大面积的、均匀的单相β－FeSi2薄膜，所制备的薄膜有较好的发光和光伏特性，解决了作为红外发光二极管和太阳能电池所需的优质β－FeSi2薄膜的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 激光 制备 fesi sub 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种飞秒脉冲激光制备β-FeSi2半导体薄膜的方法，其特征在于：将脉冲激光沉积薄膜装置抽真空，气压10-5～10-3Pa，以硅化铁FeSi2合金为靶材，将靶材和基片置于脉冲激光沉积薄膜装置内，靶材和基片平行，且相距20～50mm，基片加热到20℃～700℃，然后保温，以1012～1015W/cm2 的峰值功率密度的激光束照射靶材，喷出的等离子体在基片上沉积，沿基片晶面外延生长形成薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
