[发明专利]低功率熔丝结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200510002763.0 | 申请日： | 2005-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1674273A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 吴显扬;陈晞白 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/62;H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 穆魁良 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种熔丝，至少包括有配置于基材上的硅化组件、耦合于硅化组件第一端的第一终端接触窗、以及配置于硅化组件之上并耦合于第一终端接触窗的第一金属线。所述熔丝更至少包括有耦合于硅化组件第二端的多个第二终端接触窗、以及配置于硅化组件之上并耦合于该多个第二终端接触窗的第二金属线。所述硅化组件有足够的宽度使施加跨越第一金属线和第二金属线的设定电位造成第一终端接触窗中的中断。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种熔丝，其特征在于，该熔丝至少包括：配置于一基材上的一硅化组件，其中该硅化组件的平面通常为矩形；配置于所述硅化组件下的一多晶硅层；配置于所述硅化组件下的一主动区域；耦合于所述硅化组件的第一端的一第一终端接触窗；配置于所述硅化组件上并耦合于第一终端接触窗的一第一金属线；耦合于所述硅化组件的第二端的多个第二终端接触窗；一晶体管，该晶体管耦合于可用来诱发所述熔丝中设定电流的第一金属线；配置于所述硅化组件上并耦合于第二终端接触窗的一第二金属线；以及具有一足够宽度的硅化组件，该足够宽度可使得施加跨越第一金属线和第二金属线的一设定电位造成第一终端接触窗中的一中断。
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