[发明专利]具有金/银/铜合金的填充金属的半导体封装有效
| 申请号： | 200480015893.1 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1802740A | 公开（公告）日： | 2006-07-12 |
| 发明（设计）人： | 乔舒亚·D·洛布辛格;迈克尔·J·沙恩;罗纳尔多·F·H·布罗萨斯 | 申请（专利权）人： | 基奥塞拉美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装，在其上施与电压差，具有两个或更多的部件用填充金属连接其上。填充金属是固溶体结构，其上的金属成分是原子级弥散，可以由金、银和铜合金组成。填充金属的较好形式是60Au20Ag20Cu。根据本发明的这种填充金属具有银基填充金属的优点，而不发生最终导致半导体封装短路的银迁移。由于湿气渗入和温度的变化，当水凝结在半导体封装内形成连续层时，填充金属内的银不离子化，因此银堆积的形成和最终导致封装短路就不发生。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 铜合金 填充 金属 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1、一种电子封装，包括至少两部分，适应于在两部分之间施与电压差，并在两者间配置填充合金，连接该两部分在一起，该填充合金由金、银和铜组成。
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