[发明专利]贴合半导体衬底及其制造方法有效
| 申请号： | 200480015389.1 | 申请日： | 2004-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1894795A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 神山荣治;加藤健夫;朴在勤 | 申请（专利权）人： | 株式会社SUMCO;汉阳大学产学协力团 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将离子注入后、贴合、通过热处理而剥离后的贴合衬底的活性层表面采用有蚀刻作用的溶液只蚀刻1nm～1μm，使最终的活性层厚度为200nm以下。使用SC－1液体。在蚀刻前后也可以实施抛光、氢退火、牺牲氧化。能使将该薄膜活性层的膜厚在整个表面均匀化，降低其表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种贴合衬底，其特征在于，以控制活性层厚度为目的，将剥离活性层用晶片的一部分而在支撑衬底上形成的活性层的表面采用具有蚀刻作用的溶液只蚀刻1nm～1μm，使最终活性层的厚度为200nm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
