[实用新型]应变半导体覆绝缘层型基底

摘要

本实用新型提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构。首先提供一标的晶片和一施体晶片，施体晶片包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶片黏着标的晶片的表面后，将应变半导体层自施体晶片分离，使应变硅层黏结至标的晶片。

主权项

1.一种应变半导体覆绝缘层型基底，其特征在于包含：一主体半导体基底，其具有一不同于硅的晶格常数；一施体晶片，其具有一应变硅层在该主体半导体基底上，且该施体晶片具有一上表面；一标的晶片，其包含有一基底以及位于该基底上的一绝缘层，该绝缘层包含一高应力层，且该标的晶片具有一上表面；以及该施体晶片上表面位于该标的晶片上表面之上，且两者的上表面相互键结。