[发明专利]去耦电容与半导体集成电路有效
| 申请号： | 200410101941.0 | 申请日： | 2004-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1627520A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 堤正范;矢野纯一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/088;H01L21/822;H01L21/765;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 构成去耦电容的MOS晶体管的栅极部(304)上被供给VSS(302)，源极部(305)、漏极部(306)上被供给VDD(301)，衬底部(307)上被供给与源极部(305)、漏极部(306)不同的电位NWVDD(303)。将NWVDD(303)设定为高于VDD(301)时，耗尽层(309)扩大，能够以减小去耦电容的电容量而达到减小漏电流的效果。另外，将NWVDD(303)在不引起闩锁的程度内设定于VDD(301)以下时，耗尽层(309)缩小，能够增加去耦电容的电容量。通过改变供给衬底部(307)的电位NWVDD(303)，能够控制去耦电容的电容值和漏电流值。实现可控制电容值和漏电流值的且响应性良好的去耦电容。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种去耦电容，其特征在于：包括衬底和具有在该衬底的第一导电型的衬底区表面上形成的第二导电型的源/漏区的MOS晶体管；通过改变所述衬底区的电位来改变所述去耦电容的电容值。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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