[发明专利]双浮栅结构的非易失性半导体存储器器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410095113.0 | 申请日： | 2004-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1607669A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 梁正焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/788;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器器件，包括：包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元通过具有一条位线的接触点和具有一条字线的接触点来限定，每个存储单元形成在衬底上，并且每个存储单元包括：在该存储单元之内设置的两个浮栅；以及在该两个浮栅之间插入的一个有源区。本发明的半导体存储器器件包括具有设置在有源区的相对侧面上的浮栅的非平坦有源区。控制栅与该浮栅和该有源区的一部分重叠。本发明还涉及存储器器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 双浮栅 结构 非易失性 半导体 存储器 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器器件，包括：包含多个存储单元的存储单元阵列，每个存储单元通过位线的接触点和字线的接触点来限定，每个存储单元形成在衬底上，并且每个存储单元包括：在该存储单元之内设置的两个浮栅；以及在该两个浮栅之间插入的有源区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
