[发明专利]半导体密封用片及其制法和使用该片的半导体装置无效
| 申请号： | 200410071314.7 | 申请日： | 2004-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1576344A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 大野博文;山根实;伊奈康信;梅野正一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/10 | 分类号： | C09K3/10;H01L21/56;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过提高片的密度可减少封装内部发生空隙的半导体密封用片的制造方法。该半导体密封用片的制造方法是：制作以下述的(A)～(C)成分为必要成分的环氧树脂组合物的混炼物以后；将所述混炼物成型为薄片密度比为98％或98％以上的薄片状；粉碎所述薄片状成型体以后，把该粉碎物打片成型为片密度比为94％或94％以上且不足98％的片状。其中(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机物填充剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 密封 及其 制法 使用 该片 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体密封用片的制造方法，其特征在于，该方法包括以下工序：制备以下述的(A)～(C)成分作为必要成分的环氧树脂组合物的混炼物的工序；将所述混炼物压延成型为薄片密度比为98％或98％以上的薄片状的工序；以及粉碎所述薄片状成型体以后，把该粉碎物打片成型为片密度比为94％或94％以上且不足98％的片状的工序，(A)环氧树脂；(B)酚醛树脂；(C)无机物填充剂。
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