[发明专利]集成半导体结构和应变绝缘硅的制造方法及应变绝缘硅

摘要

本发明提供在具有不同晶体取向的SOI衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个SOI衬底的集成半导体结构，SOI衬底具有第一晶体取向的顶部半导体层以及具有第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料与顶部半导体层基本共面并且与其厚度基本相同，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同。SOI衬底是通过在一个结构中形成孔而形成的，该结构包括具有不同晶体取向的至少一个第一半导体层和第二半导体层。半导体材料是在孔中外延生长的，接着使用不同刻蚀和深刻蚀加工步骤形成SOI衬底。

主权项

1.一种集成半导体结构的制造方法，包括：提供一种包括载体晶片和至少一个薄膜堆层的结构，其中所述薄膜堆层包括具有第一晶体取向的第一半导体层以及位于所述第一半导体层上面的、具有第二晶体取向的第二半导体层，所述第一晶体取向与所述第二晶体取向不同；在该结构上形成至少一个孔，使所述第一半导体层的表面暴露；在所述至少一个孔中，在所述第一半导体层的暴露表面上形成半导体材料，所述半导体材料具有与所述第一半导体层相同的晶体取向；在该结构上形成绝缘体层，将所述绝缘体结合在处理晶片上；选择性地去除所述载体晶片和所述第一半导体层，以使所述半导体材料的表面部分暴露；以及深刻蚀半导体材料的表面部分，从而提供一种结构，其中具有第一晶体取向的深刻蚀的半导体材料与第二半导体层基本共面并且与第二半导体层的厚度基本相同。