[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410047390.4 | 申请日： | 2004-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1574336A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 竹脇利至;小田典明;本间一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括第一布线层部分(33)，形成于半导体衬底(40)上面；及第二布线层部分(32)，形成于第一布线层部分上。第一布线层部分包括第一中间层绝缘膜(14，15)；多个第一通路栓塞(20)，形成于第一中间层绝缘膜中，以第一距离互相隔开；及多个第一布线(30)，形成于第一中间层绝缘膜中的多个第一通路栓塞上，并且与多个第一通路栓塞相连。第二布线层部分包括第二中间层绝缘膜；多个第二通路栓塞，形成于第二中间层绝缘膜中，并且以长于第一距离的第二距离互相隔开；及多个第二布线，分别形成于第二中间层绝缘膜中的多个第二通路栓塞上，且与多个第二通路栓塞相连。多个第一通路栓塞、多个第一布线、多个第二通路栓塞和多个第二布线包含含铜金属。第一布线层部分具有单大马士革结构，并且第二布线层部分为双大马士革结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一布线层部分，形成于半导体衬底的上面；以及第二布线层部分，形成于所述第一布线层部分上，其中所述第一布线层部分包括：第一中间层绝缘膜；多个第一通路栓塞，形成于所述第一中间层绝缘膜中，以第一距离互相隔开；以及多个第一布线，形成于所述第一中间层绝缘膜中的所述多个第一通路栓塞上，并且与所述多个第一通路栓塞相连，所述第二布线层部分包括：第二中间层绝缘膜；多个第二通路栓塞，形成于所述第二中间层绝缘膜中，并且以长于所述第一距离的第二距离互相隔开；以及多个第二布线，分别形成于所述第二中间层绝缘膜中的所述多个第二通路栓塞上，并且与所述多个第二通路栓塞相连，所述多个第一通路栓塞、所述多个第一布线、所述多个第二通路栓塞和所述多个第二布线包含含铜金属，所述第一布线层部分具有单大马士革结构，以及所述第二布线层部分为双大马士革结构。
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