[发明专利]半导体装置及其特性的评价方法无效
| 申请号： | 200410036986.4 | 申请日： | 2004-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1551324A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 安井孝俊;柁谷敦宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有能使得到的特性偏差更接近半导体装置整体的特性偏差的评价部的半导体装置及其特性评价方法。一个评价部由配置了和实际使用MIS晶体管实质上具有相同的结构的多个评价用MIS晶体管而构成，源焊盘(12)、漏焊盘(13)以及栅焊盘(14)与各个评价用MIS晶体管(TrA～TrC)的各个源区域(15)、漏区域(16)以及栅电极(17)共同电连接。如果一个评价部的有效栅宽度超过某一值，就接近半导体装置整体的特性偏差，因此使用这样的评价部能够提高半导体装置特性评价的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 特性 评价 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体衬底；实际使用MIS晶体管，其被配置在所述半导体衬底内的活性区域中；多个评价用MIS晶体管，其被配置在所述半导体衬底内的活性区域中，并分别具有栅电极、源区域以及漏区域，用来代表所述实际使用MIS晶体管的特性；栅用共同导体部，其与所述多个评价用MIS晶体管的各栅电极电连接；源用共同导体部，其与所述多个评价用MIS晶体管的各源区域电连接；和漏用共同导体部，其与所述多个评价用MIS晶体管的各漏区域电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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