[发明专利]低介电常数无定形二氧化硅类被膜的形成方法及由该方法得到的低介电常数无定形二氧化硅类被膜有效
| 申请号： | 200380102612.1 | 申请日： | 2003-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1708839A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 中岛昭;江上美纪;小松通郎;中田义弘;矢野映;铃木克己 | 申请（专利权）人： | 触媒化成工业株式会社;富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C09D183/02;C09D183/04;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 无定形 二氧化硅 类被膜 形成 方法 得到 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数无定形二氧化硅类被膜的形成方法，该方法用于在基板上形成具有较高膜强度、疏水性优良、平滑的低介电常数无定形二氧化硅类被膜，其特征为，该方法包括以下步骤：(a)使原硅酸四烷基酯TAOS及由下述通式(I)表示的烷氧基硅烷AS在氢氧化四烷基铵TAAOH的存在下水解得到硅化合物，配制含有由此所得硅化合物的液态组合物的步骤；XnSi(OR)4-n (I)式中，X表示氢原子、氟原子、或碳原子数为1～8的烷基、氟取代烷基、芳基或乙烯基，R表示氢原子、或碳原子数为1～8的烷基、芳基或乙烯基，另外，n为0～3的整数；(b)在基板上涂布该液态组合物的步骤；(c)在80～350℃的温度下对该基板实施加热处理的步骤；(d)在350～450℃的温度下对该基板实施烧制处理的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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