[发明专利]N和P沟道晶体管的利用正主体偏压的自适应阈电压控制无效
| 申请号： | 03805945.2 | 申请日： | 2003-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1643680A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | D·E·福尔克森 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于CMOS晶体管的阈值控制电路，其中利用反馈电路来控制n沟道参考晶体管主体上的电压，以便在主体上产生正电压并将参考晶体管的阈值降低到所需数值，并且利用反馈电路来控制p沟道参考晶体管主体上的电压，以便在主体上产生负电压并将参考晶体管的阈值降低到所需数值。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 晶体管 利用 主体 偏压 自适应 电压 控制 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体晶体管阈值控制器，它包括：具有主体的参考晶体管，其上的电压可以按照第一方向改变，以降低所述参考晶体管的阈电压；反馈电路，可以用来产生按照所述第一方向增加的反馈电压；以及一种装置，它连接所述参考晶体管的所述主体以接收所述反馈电压，以便将所述参考晶体管的所述阈值降低到所需数值。
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