[发明专利]晶片保持体及制备半导体的系统有效
| 申请号： | 03801539.0 | 申请日： | 2003-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1593073A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 夏原益宏;仲田博彦;柊平启;桥仓学 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H05B3/20 | 分类号： | H05B3/20;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种晶片保持体，其中通过抑制了支撑和加热晶片时的局部热辐射，改善了晶片保持表面的均匀加热性能，和一种使用该晶片保持体制备半导体的系统，其适宜于即使大直径的晶片的加工。所述的晶片保持体(1)包括包埋于陶瓷基材(2)中的电阻加热元件(3)，和穿过反应室(6)的引线(4)，其中引线(4)分别容纳于导向构件(5)中。导向构件(5)与反应室(6)是气密密封的，并且导向构件(5)的内部也是气密密封的。导向构件(5)与陶瓷基材(2)相互不连接，并且在内部密封的导向构件(5)中的陶瓷基材(2)侧的气氛基本上与反应室(6)中的气氛相同。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 保持 制备 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶片保持体，其包括在陶瓷基材中的电阻加热元件、等离子体产生电极、静电去除电极和电子束电极中的至少一个，并且为了将这些部件与外部电极连接，其配备有穿过反应室的引线，所述晶片保持体的特征在于：所述引线本身与所述反应室之间的间隔是直接气密密封的，或者所述的引线容纳于筒状导向构件中，所述的导向构件与所述的反应室之间的间隔以及所述导向构件内部是气密密封的。
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