[实用新型]半导体过压保护装置无效
| 申请号： | 03225864.X | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN2617037Y | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 乔长华 | 申请（专利权）人： | 深圳市新达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体过压保护装置，涉及半导体过压保护装置的内部结构；本技术包括半导体封装框架及设于其上的半导体过压保护芯片，在半导体框架的底座上设有与底座相互电连接的凸头座，凸头座上电联接有半导体过压保护芯片，保护芯片的正面及半导体框架的底座上分别设有引脚。本技术结构简单，质量稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保护装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体过压保护装置，包括有半导体封装框架及设于其上的半导体过压保护芯片，其特征在于，在半导体框架的载体上设有与底座相互电连接的凸点座，在凸点座上连接半导体过压保护芯片，保护芯片的正面用引线与半导体框架上的引脚相连。
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