[发明专利]半导体设备有效
| 申请号： | 03156853.X | 申请日： | 2003-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1494147A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 石川泰久;渡边敦;寺田幸弘;池内亮;大谷扩 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备，包括一衬底、形成于衬底上一阱区，形成于阱区上一场效应晶体管、以及一扩散区。该扩散区穿过了阱区和衬底以将背栅电位提供给阱区，并且该扩散区与其外围一起形成了一PN结。场效应晶体管和PN结连接在终端之间以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体设备，该设备包括：一衬底；一阱区，形成于衬底上；一场效应晶体管，形成于阱区上；一扩散区，该扩散区穿过了阱区和衬底以将背栅电位提供给阱区，并且该扩散区与其外围一起形成了一PN结，其中场效应晶体管和PN结在终端之间连接以吸收过载电流，这样保护了与终端相连的内电路。
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