[发明专利]具有体偏置电路的半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 03149583.4 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1476092A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 石桥孝一郎;山下高广 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体理工学研究中心 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L21/822;H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件，具有MISFET(1；2)和体偏置电路(110，111至113∶3；4；151，161)。MISFET(1；2)具有第一导电类型(p+；n+)的源极(S)和漏极(D)以及栅极(G)，MISFET(1；2)形成在第二导电类型(n；p)的阱中(10；20)。体偏置电分路(110，111至113∶3；4；151，161)通过使规定的电流(Ibp；Ibn)以正向流入由阱(10；20)和MISFET的源极(S)形成的二极管(11；21)中，在阱(10；20)中产生电压(Vbp；Vbn)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 偏置 电路 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：MISFET，具有第一导电类型(p+；n+)的源极(S)和漏极(D)以及栅极(G)，形成在第二导电类型(n；p)的阱(10；20)中；体偏置电路(110，111至113：3；4；151，161)，通过使规定的电流(Ibp；Ibn)以正向流入由所述的阱(10；20)和所述的MISFET(1；2)的所述源极(S)形成的二极管(11；21)，在所述的阱(10；20)中产生电压(Vbp；Vbn)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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