[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 03149354.8 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1494144A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 井永康弘;河野和史;岩本猛 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体基片(2)上形成硅氧化膜(8)。在该硅氧化膜(8)上形成沟(8a)。在沟(8a)内隔着阻挡层金属(10)形成作为隔断层的铜反射层(12a)。形成硅氧化膜(14)，以覆盖该铜反射层(12a)。在该硅氧化膜(14)上设置含多个熔丝(16a)的熔丝形成区(15)。在铜反射层(12a)上形成为使激光光线反射而向下方凹入的凹状反射面。铜反射层(12a)被平面地配置，大致重叠在熔丝形成区的整个区域上。抑制熔丝熔断时激光光束的影响波及熔丝形成区近旁，获得可实现小型化的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：有主表面的半导体基片，在所述半导体基片的所述主表面上形成的、设置多个熔丝的熔丝形成区，以及在所述熔丝形成区与所述半导体基片之间形成的、使熔丝切断时照射到的激光光束反射而阻止其向下方区域行进的隔断层；所述隔断层上设有使激光光束反射的、向下方凹入的凹状反射面，它被平面地配置，大致重叠在所述熔丝形成区的整个区域。
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