[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03107915.6 | 申请日： | 2003-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1449045A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 伊东丰二;藤井英治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，为达到可缩小包括电容元件的半导体装置的每一个电容元件的面积的目的。还有，由下部电极(16)、电容绝缘膜(17)及上部电极(18)组成的电容元件(19)，设置在MOS晶体管(30)的源扩散区域(30a)上的导电性插塞(13)的更上一层。再有，电容绝缘膜(17)是沿着设置在第二层间绝缘膜(15)上露出氧化屏障膜(14)的开口部分(15a)的底面和侧壁形成的，其结果是在电容绝缘膜(17)上形成沿导电性插塞(13)的贯通方向弯曲的弯曲部分(17a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中：包括，贯通于绝缘膜的导电性插塞；在上述绝缘膜上与上述导电性插塞电连接且以覆盖导电性插塞的形式形成的导电性氧化屏障膜；形成在上述氧化屏障膜上面，并与上述氧化屏障膜相连的下部电极；在上述下部电极上，并沿这个下部电极形成的电容绝缘膜；在上述电容绝缘膜上沿这个电容绝缘膜形成的上部电极，上述电容绝缘膜具有沿上述导电性插塞的贯通方向弯曲的弯曲部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
