[发明专利]多晶结构及其制造方法无效
| 申请号： | 02828667.7 | 申请日： | 2002-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1623188A | 公开（公告）日： | 2005-06-01 |
| 发明（设计）人： | 向井良一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/65;G11B5/851;G11B5/66;H01F10/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种多晶结构(24)，包括在基片(23)的表面上延伸的基层(31)。细微构造的磁性晶粒(32)稀疏地存在于基层(31)的表面上。磁性晶粒(32)是由有序合金构成的。磁性晶粒(32)在基层(31)的表面上相互间隔。由于在磁性晶粒(32)中获得了足够的结晶磁性各向异性能量，因此磁化被可靠地保持在细微构造的磁性晶粒(32)中。另外，间隔被限定在相邻的磁性晶粒(32)之间。单个磁性晶粒(32)独立存在。在相邻的磁性晶粒(32)之间可靠地防止磁性相互作用。磁畴可被建立在单个磁性晶粒(32)中。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶结构，包括：基层；和在基层上相互间隔的磁性晶粒，所述磁性晶粒是由有序合金构成的。
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- 中川宏之;武隈育子 - 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 2007-03-30 - 2007-10-03 - G11B5/738
- 通过使用显示出良好记录再现性能的垂直磁记录介质与屏蔽磁极磁头结合，实现比现有技术更高的记录。使用垂直磁记录介质和屏蔽磁极磁头。该屏蔽磁极磁头包括具有主磁极和辅助磁极的单极型写入器，还经由非磁性间隙层设置磁屏蔽，以便至少覆盖主磁极的尾侧的向下磁道方向。垂直磁记录介质具有两个记录层。第一记录层包括具有Co作为主要成分并至少包含Cr和Pt的铁磁晶粒以及包含氧化物的晶界。第二记录层包括具有Co作为主要成分以及至少包含Cr和不包含氧化物的合金。第一记录层的饱和磁化强度Ms1(kA/m)，第二记录层的饱和磁化强度Ms2(kA/m)以及软磁下层(nm)的薄膜厚度ts(nm)满足以下关系：20+0.033＊ts2+2.3＊ts≤4/3＊Ms1－Ms2≤329－0.024＊ts2+1.9＊ts。
- 专利分类
