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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁记录介质、溅射靶、溅射靶的制造方法、以及磁存储装置-CN201811365060.8有效
发明人：室伏克己;石桥圭孝;福岛隆之;丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;徐晨;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11B5/716 文献下载
摘要：提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
记录介质溅射制造方法以及存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810521202.9有效
发明人：日向慎太朗;齐藤伸;福岛隆之;大桥荣久;丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L1
结晶粒径控制阻挡层磁记录介质磁存储装置结晶结构平面取向磁性层氮化物结晶质碳化物氧化物基板合金

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810039987.6有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L1₀型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
氧化物磁记录介质结晶质基板磁存储装置结晶结构磁性层配向合金

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810048861.5有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L1₀型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。
磁记录介质磁性层氧化物合金磁存储装置结晶结构结晶质面方位基板

[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置-CN201810145330.8有效
发明人：丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;福岛隆之;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L1₀结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
磁记录介质散热层阻挡层磁记录再现装置磁头激光功率磁性层氮化物碳化物信噪比氧化物衬底合金照射

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201711430804.5有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G11B5/706 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L1₀型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
氧化物磁记录介质结晶质基板磁存储装置结晶结构磁性层配向合金

[发明专利]辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201810153505.X有效
发明人：丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊;柴田寿人;福岛隆之;中岛悟;山口健洋 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L1₀型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
辅助磁记录磁存储装置磁记录介质磁性层钉扎层合金结晶结构写入信息信噪比读入基板噪音

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201410351809.9有效
发明人：张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L1₀结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L1₀结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
磁记录介质磁性层结晶质基板磁存储装置合金晶粒障碍层氧化物合金

[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN201410363017.3有效
发明人：张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN201710439941.9在审
发明人：福岛隆之;村上雄二;神边哲也;张磊;丹羽和也;柴田寿人 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：一种磁记录介质，包括衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
记录介质存储装置

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁记录再生装置-CN201380022551.1有效
发明人：神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-04-30 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
辅助记录介质再生装置

[发明专利]磁记录介质和磁记录再生装置-CN201380024906.0有效
发明人：丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
记录介质再生装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201410132213.X有效
发明人：张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，包含基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201410312115.4有效
发明人：神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质和磁存储装置。该磁记录介质具有基板；磁性层，包含具有L10结构的合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为软磁性底层，该软磁性底层由(11·0)面被排列为与所述基板面平行的、具有以Co金属或Co为主成分的密排六方结构的合金所构成。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201410244285.3有效
发明人：神边哲也;丹羽和也;村上雄二;张磊 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，具有基板；磁性层，包含具有L10结构的FePt合金；及多个底层，配置在所述基板和所述磁性层之间。其中，所述多个底层中的至少1层为含TiO2底层。
记录介质存储装置

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