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[发明专利]磁记录介质、磁带盒及磁记录再生装置-CN202310336714.9在审
发明人：小柳典子;山下达也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明提供一种在高温环境下重复行进后的电磁转换特性的下降少的磁记录介质。一种磁记录介质、包含该磁记录介质的磁带盒及磁记录再生装置，所述磁记录介质在磁性层的表面上测定的算术平均粗糙度Ra为2.5nm以下，且将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HD与将周边基底区域的高度设为0nm的突出高度HB的突出高度差Δ即HD‑HB为0.7nm以上，所述突出高度HD是对在利用扫描型电子显微镜拍摄磁性层的表面而得到的背散射电子像的第1二值化处理结束的图像中被确定为暗部区域的区域，利用原子力显微镜测定的突出高度，所述突出高度HB是对在利用扫描型电子显微镜拍摄磁性层的表面而得到的背散射电子像在比第1二值化处理更靠高灰度侧进行的第2二值化处理结束的图像中被确定为明部区域的区域，利用原子力显微镜测定的突出高度。
记录介质磁带再生装置

[发明专利]热辅助磁记录介质用溅射靶-CN202080074953.6在审
发明人：谭金光;栉引了辅;齐藤伸;齐藤节 -专利权人：田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明提供用于成膜出使构成单轴磁各向异性提高、热稳定性和SNR(信噪比)提高的热辅助磁记录介质的FePt磁性粒子被氧化物孤立的粒状结构磁性薄膜的溅射靶。一种热辅助磁记录介质用溅射靶，其是以FePt合金和非磁性材料为主要成分的热辅助磁记录介质用溅射靶，其特征在于，该非磁性材料是熔点为800℃以上且1100℃以下的氧化物。
辅助记录介质溅射

[发明专利]一种低SFD磁记录材料及其制备方法-CN201811559368.6有效
发明人：刘荣明;张威峰;刘辉;王倩;贾立颖;李炳山 -专利权人：北矿科技股份有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及磁信息材料技术领域，尤其是涉及一种低SFD的磁记录材料及其制备方法。所述低SFD的磁记录材料，主要由按重量份数计的如下组分制得：铁的氧化物100‑200份、锶盐10‑20份、钡盐5‑10份、VIIB族的金属的氧化物1‑2份、VB族的金属的氧化物0.5‑1份、氧化钐0.5‑2份、添加剂4‑10份和助熔剂1‑3份；所述添加剂包括钛的氧化物、钴的氧化物、锆的氧化物和镍的氧化物中的一种或多种。本发明通过加入VIIB族的金属的氧化物和VB族的金属的氧化物，利用其特殊电子排布，通过与铁、锶和钡进行合金化作用，改变点阵常数，从而改变磁记录材料的磁性，促进降低SFD值。
一种 sfd 记录材料及其制备方法

[发明专利]一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法-CN201910317941.0有效
发明人：李若宁;王永锋;侯士敏 -专利权人：北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于分子自旋态的磁场调控存储器件及数据存储方法。该存储器件包括基体，数据存储介质和探针，所述基体为导电基体；所述数据存储介质为自旋态可变有机分子层，其规则排列在导电基体表面；所述探针用于数据存储介质的数据的写入和/或读取；所述写入操作包括通过施加磁场改变自旋态可变分子层中有机分子的自旋态，所述读取操作包括检测出可变分子层中分子的自旋态；所述自旋可变有机分子为酞菁亚铁分子。本发明以酞菁亚铁分子为存储介质，通过改变施加磁场的强弱控制分子自旋态的转变，实现了信息的单分子写入，通过探针检测自旋态可以实现信息的单分子读取，从而达到利用磁场调控分子自旋态进行信息存储的目的。
一种基于分子自旋磁场调控存储器件数据方法

[发明专利]一种磁记录材料及其制备方法-CN201811557683.5有效
发明人：刘荣明;张威峰;刘辉;王常蕾;王继全;王倩;贾立颖;李炳山 -专利权人：北矿科技股份有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及磁性材料技术领域，尤其是涉及一种磁记录材料及其制备方法。所述磁记录材料，主要由按重量份数计的如下组分制得：铁的氧化物100‑200份、锶盐15‑30份、钡盐25‑35份、氧化钐0.5‑2份、添加剂4‑10份和助熔剂1‑3份；所述添加剂包括钛的氧化物、钴的氧化物、锆的氧化物和镍的氧化物中的一种或多种。本发明所述的磁记录材料能够兼顾矫顽力和剩磁及陡直的磁滞回线；加入Ti、Co、Zr和Ni中的任一种或多种添加剂，使得矫顽力在合理范围内尽可能最大化，并获得较低的SFD值，使得所述磁记录材料具有陡直的磁滞回线；各种添加剂，部分作为分散相，阻碍晶界移动，细化磁性材料的颗粒尺寸，提高均匀分散性。
一种记录材料及其制备方法

[发明专利]磁盘、以及磁盘用的铝合金基板及该铝合金基板的制造方法-CN201880090121.6在审
发明人：村田拓哉;北脇高太郎;米光诚;畠山英之;中山贤;坂本辽;太田裕己 -专利权人：株式会社UACJ;古河电气工业株式会社
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：一种磁盘及其制造方法，该磁盘的特征在于，将化合物除去工序适用于由铝合金构成的以CC法制造出来的铝合金板，该铝合金含有Fe：0.4～3.0mass％(以下，简称为“％”)、Mn：0.1～3.0％、Cu：0.005～1.000％、Zn：0.005～1.000％，剩余部分由Al及不可避免的杂质构成，该磁盘包括被形成于其表面的无电解镀Ni－P层，波长为0.4～5.0mm的波纹的最大振幅为5nm以下，波长为0.08～0.45mm的波纹的最大振幅为1.5nm以下。
磁盘以及铝合金制造方法

[发明专利]磁记录介质及磁记录再现装置-CN201810145330.8有效
发明人：丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;福岛隆之;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L1₀结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
磁记录介质散热层阻挡层磁记录再现装置磁头激光功率磁性层氮化物碳化物信噪比氧化物衬底合金照射

[发明专利]垂直磁记录介质-CN201680012938.2有效
发明人：内田真治;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明提供一种含有能期待Tc的降低，在维持以往的磁特性的同时具有希望膜厚的磁记录层的垂直磁记录介质。磁记录介质至少含有非磁性基板和磁记录层，所述磁记录层由第一磁记录层构成、或者至少含有第一磁记录层和第二磁记录层的多个层构成；所述第一磁记录层具有粒状结构，所述粒状结构含有第一磁性晶粒和包围所述第一磁性晶粒的第一非磁性晶界；所述第一磁性晶粒由具有Fe、Pt和Rh的有序合金构成；所述第一非磁性晶界由碳、硼或它们的组合构成；所述第二磁记录层具有粒状结构，所述粒状结构含有第二磁性晶粒和包围所述第二磁性晶粒的第二非磁性晶界；所述第二磁性晶粒由FePt有序合金、或者具有Fe、Pt和Rh的有序合金构成；所述第二非磁性晶界含有碳。
垂直记录介质

[发明专利]辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201810153505.X有效
发明人：丹羽和也;神边哲也;村上雄二;张磊;柴田寿人;福岛隆之;中岛悟;山口健洋 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-02-22 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及辅助磁记录介质和磁存储装置，其目的在于提供一种磁记录介质，其可降低因向磁记录介质写入信息时所致的噪音，同时可提高信号的水平，从而使读入时的信噪比优异。本发明的一个实施方式的辅助磁记录介质的特征在于，其依次具有基板、底层、以及以具有L1₀型结晶结构的合金作为主成分的磁性层，辅助磁记录介质具有与上述磁性层相接的钉扎层，钉扎层包含Co或以Co为主成分的合金。
辅助磁记录磁存储装置磁记录介质磁性层钉扎层合金结晶结构写入信息信噪比读入基板噪音

[发明专利]磁记录介质-CN201680009030.6有效
发明人：森谷友博;中田仁志;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够没有使面内矫顽力增加并且没有招致磁特性的降低地使磁性材料的居里温度(Tc)降低的磁记录介质。磁记录介质是包含基板和磁记录层的磁记录介质，上述磁记录层包含FePtRh有序合金，上述FePtRh有序合金的Rh含量为10原子％以下。
记录介质

[发明专利]垂直磁记录介质-CN201580002172.5有效
发明人：中田仁志;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供包含第1磁记录层的磁记录介质，所述第1磁记录层具有大的矫顽力和磁性晶粒已良好分离的颗粒结构。本发明的磁记录介质包含非磁性基板、第1籽晶层、以及形成于所述第1籽晶层上的第1磁记录层，第1籽晶层含有Pt，第1磁记录层具有1个或多个磁性层，与第1籽晶层接触的磁性层含有Fe、Pt及Ti，且具有颗粒结构，所述颗粒结构由具有含有Fe及Pt的L1₀型有序合金的磁性晶粒和含有Ti的非磁性晶界构成。
垂直记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN201680003018.4有效
发明人：中田仁志;森谷友博;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的课题是提供通过使热辅助磁记录介质的加热记录过程中的比特迁移幅度变小、从而能够实现高记录密度的磁记录介质。本发明的磁记录介质包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有包含Fe、Pt和Ru的有序合金，以Fe、Pt和Ru的总原子数为基准，有序合金包含x原子％的Fe、y原子％的Pt、和z原子％的Ru，上述x、y和z满足以下的式(i)～(v)：(i)0.85≤x/y≤1.3；(ii)x≤53；(iii)y≤51；(iv)0.6≤z≤20；和(v)x+y+z＝100。
记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN201580002204.1有效
发明人：森谷友博;中田仁志;菊池洋人;片冈弘康;古田旭;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种磁记录层及具有该磁记录层的磁记录介质，该磁记录层具有高磁各向异性常数Ku及低居里温度Tc。本发明所述磁记录介质的特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有有序合金，该有序合金包含选自由Fe和Ni所组成的群中的至少1种元素、选自由Pt、Pd、Au、Rh和Ir所组成的群中的至少1种元素、以及Ru。
记录介质

[发明专利]用于热辅助磁记录介质的铱下层-CN201610206138.6有效
发明人：刘家兴;T·西科;A·阿詹;R·张 -专利权人：西部数据传媒公司
申请日： 2016-03-31 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于热辅助磁记录介质的铱下层。本申请提供了一种热辅助磁记录(HAMR)介质堆栈，其中基于铱(Ir)的材料可以被利用为次级的下层代替被利用在传统的介质堆栈中的氧化镁(MgO)下层。这样的基于铱的材料可以包括，例如，纯铱、基于铱的合金、基于铱的化合物、以及具有分离子的颗粒状的铱层。将铱或者基于铱的材料用作下层，提供了优于使用MgO作为下层的优势。例如，直流(DC)溅射能够被用于沉积介质堆栈层，其中Ir的沉积率明显高于MgO的沉积率，导致较高的制造产量。更进一步地，较小的粒子在基于铱层的沉积过程中被生成，并且基于铱的下层能够作为更好的散热器。更进一步地，沉积在基于铱层上的记录层的晶体形态和结构能够被更好地控制。
用于辅助记录介质下层

[发明专利]Fe-Pt基磁性材料烧结体-CN201380049218.X有效
发明人：荻野真一 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：一种Fe‑Pt基磁性材料烧结体，其特征在于，含有BN和SiO2作为非磁性材料，在所述烧结体的切断面中的B或N的存在区域中存在Si和O。本发明的课题在于提供一种能够制作热辅助磁记录介质中的磁性薄膜，并且降低溅射时产生的粉粒量的高密度溅射靶。
烧结体磁性材料热辅助磁记录非磁性材料磁性薄膜溅射靶切断面粉粒溅射制作

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