专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁盘装置-CN202211524825.4在审
  • 河边享之;竹尾昭彦 - 株式会社 东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-11-30 - 2023-09-05 - G11B5/23
  • 本公开提供一种磁盘装置,能够使写性能提高。根据实施方式,磁盘装置具备:磁盘;磁头,向所述磁盘的磁道写入数据;及控制器,进行磁头的定位,登记写入了所述数据的扇区的地址和所述地址下的所述头的定位误差,所述控制器判断是否登记了要写入所述数据的第1扇区的往前2个磁道的第2扇区的定位误差,在登记了所述第2扇区的定位误差的情况下,基于所述第2扇区的定位误差,关于所述第1扇区的定位误差设定容许写动作的第1阈值,判断所述第1扇区的定位误差是否超过了所述第1阈值,在所述第1扇区的定位误差超过了所述第1阈值的情况下停止所述写动作。
  • 磁盘装置
  • [发明专利]磁盘装置-CN202210115930.6在审
  • 木村香里;竹尾昭彦;松本拓也 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2022-02-07 - 2023-03-03 - G11B5/31
  • 本发明提供能抑制磁头的劣化来实现可靠性的提高的磁盘装置。根据实施方式,磁盘装置具有:自如旋转的盘状的记录介质(12);磁头(16),该磁头具有:具有向记录介质施加记录磁场的主磁极的写入头、辅助利用主磁极的磁记录的辅助元件、以及控制相对于记录介质的头斜度的多个热执行器;以及磁控制器(40),该控制器具有检测头的劣化的检测部(46a、46c),根据检测出的劣化,通过热执行器而使磁头的头斜度变化。
  • 磁盘装置
  • [发明专利]磁盘装置以及头的调整方法-CN202010564599.7有效
  • 大竹雅哉;竹尾昭彦 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-06-19 - 2022-12-02 - G11B5/09
  • 实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备:第1盘,具有第1面;第2盘,具有与第1面不同的第2面;第1头,具有第1写入头和第1辅助元件,第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据,第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量;第2头,具有第2写入头和第2辅助元件,第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据,第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量;及控制器,根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。
  • 磁盘装置以及调整方法
  • [发明专利]磁盘装置以及重写处理方法-CN202011643239.2在审
  • 友田悠介;竹尾昭彦 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2020-12-31 - 2022-03-01 - G11B5/012
  • 实施方式提供能提高写/读处理性能的磁盘装置和重写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备:盘,其具有第1区域和第2区域,所述第1区域是对从位于半径方向的第1端部的第1初始磁道到位于在半径方向上与第1端部相反一侧的第1另一端部的第1最后磁道的多个磁道进行了写入的区域,所述第2区域位于在半径方向的第1方向上与第1区域隔开间隙的位置、且是沿着第1方向从位于半径方向的第2端部的第2初始磁道到位于半径方向的与第2端部相反一侧的第2另一端部的第2最后磁道对多个磁道进行了重叠写入的区域;头,其对盘写入数据,从盘读取数据;以及控制器,其对在第2区域进行了重叠写入的多个磁道的一部分,在作为与第1方向相反的方向的第2方向上偏置地进行重写。
  • 磁盘装置以及重写处理方法
  • [发明专利]磁记录装置-CN201810619813.7有效
  • 大竹雅哉;竹尾昭彦;小泉岳;友田悠介 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2018-06-15 - 2020-11-03 - G11B5/31
  • 本发明涉及可以高记录密度化的磁记录装置。磁记录装置具备:具有矫顽力比5.2kOe大的磁记录层的磁盘和对磁记录层写入磁数据的记录头(58)。记录头具备磁道宽度方向的宽度为40~55nm的主磁极(60)、隔着16~18.5nm的写间隙(WG)与主磁极相对的写屏蔽件(62)和在写间隙内设置于主磁极与写屏蔽件之间的磁通控制层(80)。磁通控制层具有:以金属层形成的第1控制层(80a);以磁性金属或者软磁性金属合金的任一方形成并层叠于第1控制层上的第2控制层(80b);和通过选自Ta、Ru、Pt、W、Mo的组的至少1种或者包含至少1种的合金形成并层叠于第2控制层上的第3控制层(80c)。
  • 记录装置

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