[发明专利]氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件无效
| 申请号： | 02811802.2 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1515036A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 川口靖利;石桥明彦;辻村步;大塚信之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型ALGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 以及 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体，其特征在于，其包括：第一半导体层，该第一半导体层由第一氮化物半导体构成；第二半导体层，该第二半导体层由通过在所述第一半导体层的主面上生长而形成的第二氮化物半导体构成；所述第一半导体层和第二半导体层的与所述主面相平行的面内的晶格常数互不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02811802.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氮化物半导体元件
- 下一篇：发光元件驱动装置及具备发光元件的电子仪器
