[发明专利]氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件无效
| 申请号： | 02811802.2 | 申请日： | 2002-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1515036A | 公开（公告）日： | 2004-07-21 |
| 发明（设计）人： | 川口靖利;石桥明彦;辻村步;大塚信之 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 以及 元件 | ||
【说明书】：
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