[发明专利]ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法和ZnTe系化合物半导体单晶及半导体器件无效
| 申请号： | 02807865.9 | 申请日： | 2002-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1500160A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 山本哲也;荒川笃俊;佐藤贤次;朝日聪明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是关于制造载流子浓度高、而且低电阻的n型ZnTe系化合物半导体单晶的方法和ZnTe系化合物半导体单晶、以及使用该ZnTe系化合物半导体作为基体而制造的半导体器件。具体地说，其特征是，将ZnTe系化合物半导体的导电型控制成第1导电型的第1掺杂剂和将导电型控制成与上述第1导电型不同的第2导电型的第2掺杂剂，以上述第2掺杂剂的原子个数比上述第1掺杂剂的原子个数少地被同时掺杂。按照本发明，在以比以往少的掺杂量就能够达到所希望的载流子浓度同时，能够提高所得到的晶体中的结晶性。 | ||
| 搜索关键词： | znte 化合物 半导体 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法，其特征在于，在使ZnTe系化合物半导体单晶在基片上进行外延生长时，将ZnTe系化合物半导体的导电型控制成第1导电型的第1掺杂剂和将导电型控制成与所述第1导电型不同的第2导电型的第2掺杂剂，以所述第2掺杂剂的原子个数比所述第1掺杂剂的原子个数少地被同时掺杂在ZnTe系化合物半导体单晶中。
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