[发明专利]半导体装置

摘要

热电转换元件(8)由N型半导体区域(13)、P型半导体区域(14)及金属布线(12a～12c)构成。其N型半导体区域(13)与在元件形成区域(4)形成晶体管的n－杂质区域及n+杂质区域的同时形成。P型半导体区域(14)与形成其他晶体管的p－杂质区域及p+杂质区域的同时形成。还有，在热电转换元件(8)中的金属布线(12a～12c)与形成连接于晶体管的金属布线的同时形成。由此，能够得到既不增加生产成本又能容易得到冷却效果的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：形成在半导体衬底的主表面的规定的区域上、包含第1导电型杂质区域及第2导电型杂质区域的规定的元件；与上述规定的元件电连接的导电区域；形成在上述半导体衬底的主表面上、一端侧配置在上述规定的区域的近旁吸收在上述规定的元件工作时产生的热、他端侧配置在上述半导体衬底的区域中发热量比较少的区域上的热电转换元件，其中上述热电转换元件具备：在上述半导体衬底的主表面上、从上述规定的区域的近旁跨过上述发热量比较少的区域分别形成的第1导电型半导体区域及第2导电型半导体区域；在上述一端侧与上述第1导电型半导体区域及上述第2导电型半导体区域电连接的第1布线部；在上述他端侧与上述第1导电型半导体区域电连接的第2布线部；在上述他端侧与上述第2导电型半导体区域电连接的第3布线部。