[发明专利]互补式金属半导体影像传感器的结构及其制造方法

摘要

一种互补式金氧半导体影像传感器的制造方法，此方法是在基底中形成隔离层，以将基底区隔为光二极管感测区以及晶体管元件区。接着，在晶体管元件区形成栅极结构之后，再于栅极结构两侧的晶体管元件区中形成源/漏极区，且同时于光二极管感测区中形成掺杂区。然后，在光二极管感测区上形成自对准绝缘层，再于基底上形成保护层。

主权项

1.一种互补式金氧半导体影像传感器的结构，其特征是，该传感器至少包括：一基底；一光二极管感测区，设置于该基底中；一晶体管元件区，设置于该基底中，且该光二极管感测区与该晶体管元件区以一隔离层区隔；一晶体管，设置于该晶体管元件区上，该晶体管包括一栅极氧化层、一栅极导体层、一间隙壁与一源/漏极区；一自对准绝缘层，设置于该光二极管感测区上；以及一保护层，设置于该基底上，且至少覆盖该光二极管感测区以及该晶体管元件区。