[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02125145.2 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395315A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 篠木裕之;谷口敏光 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，谋求凸出电极表面的平坦化。在形成于半导体基板21上的接点部53上形成金凸出电极5而构成的半导体装置中，所述金凸出电极56比钝化膜52的开口部更靠内侧形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，在形成于半导体基板上的接点部上形成凸出电极而构成，其特征在于，所述凸出电极形成于比钝化膜开口部更靠内侧。
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