[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 02125145.2 | 申请日： | 2002-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN1395315A | 公开（公告）日： | 2003-02-05 |
| 发明（设计）人： | 篠木裕之;谷口敏光 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，在形成于半导体基板上的接点部上形成凸出电极而构成，其特征在于，
所述凸出电极形成于比钝化膜开口部更靠内侧。
2.一种半导体装置，其特征在于，包括：
在半导体基板上通过栅极氧化膜形成的栅极；
与栅极邻接而形成的源、漏层；
形成于所述栅极下方并构成沟道的半导体层；
与所述源、漏层连接的下层配线；
通过形成于覆盖所述下层配线的层间绝缘膜上的通孔与所述下层配线连接的上层配线；
覆盖所述上层配线的钝化膜开口构成的接点部；
在所述接点部上，形成于比所述钝化膜开口部更靠内侧的凸出电极。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述通孔形成于在所述接点部构成的所述凸出电极下以外的区域。
4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述接点部设置在所述上层配线远离通孔而延伸的区域。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，在所述接点部的下部设置着假的下层配线。
6.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述栅极下方，与所述源、漏层相连，与所述半导体层连接，形成与该源、漏层同一导电型的低浓度层。
7.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述栅极下方，与所述源、漏层相连，与所述半导体层连接，在所述半导体表层，浅浅地扩张形成与该源、漏层同一导电型的低浓度层。
8.一种半导体装置的制造方法，在半导体基板上，通过绝缘膜形成配电，覆盖该配线形成钝化膜，然后，在该钝化膜形成图案，使所述配线上的规定区域开口构成接点部，在该接点部上形成凸出电极，其特征在于，
在比所述钝化膜开口部更靠内侧形成凸出电极。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在一导电型的半导体基板上，通过栅极氧化膜形成栅极的工序；
在所述基板内，离子注入逆导电型杂质，形成低浓度的逆导电型源、漏层的工序；
通过离子注入逆导电型杂质，形成与所述低浓度的逆导电型源、漏层相连的低浓度的逆导电型层的工序；
通过离子注入逆导电型杂质，在所述低浓度的逆导电型源、漏层内，形成高浓度的逆导电型源、漏层的工序；
通过离子注入一导电型杂质，在所述栅极下方形成将所述逆导电型层分断的一导电型主体层的工序；
形成通过覆盖所述栅极的层间绝缘膜与所述源、漏层连接的下层配线的工序；
覆盖所述下层配线而形成层间绝缘膜后，在该层间绝缘膜形成通孔的工序；
形成通过所述通孔与所述下层配线连接的上层配线的工序；
在覆盖所述上层配线而形成的钝化膜形成图案，将该上层配线上的规定区域开口，形成接点部的工序；
在比所述钝化膜的开口部更靠内侧形成凸出电极的工序。
10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，形成前述通孔的工序，在覆盖所述下层配线的层间绝缘膜的接点部构成的所述凸出电极下以外的区域形成。
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