[发明专利]半导体装置及其制造方法以及半导体制造装置无效

专利信息
申请号: 01821330.8 申请日: 2001-03-21
公开(公告)号: CN1483208A 公开(公告)日: 2004-03-17
发明(设计)人: 京極敏彦;神津正;望月清春;石津昭夫;小林义彦;佐藤勧;菊池荣;丸山昌志;神代岩道 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;株式会社东日本半导体技术;秋田电子系统株式会社
主分类号: H01F17/02 分类号: H01F17/02;H01F41/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 高频功率放大装置具有两个放大系统。放大系统呈串联连接了多个放大级的结构,电源电压端子为两个端子,一个电源电压端子分别连接在一个放大系统的初级放大级和另一个放大系统的其余的放大级上,另一个电源电压端子分别连接在另一个放大系统的初级放大级和一个放大系统的其余的放大级上。将直径为0.1mm左右的铜线紧密地缠绕成螺旋状的直流电阻小的空心线圈串联连接在各放大系统的最后放大级和电源电压端子之间。各放大系统不会发生从最后放大级到初级放大级的信号泄漏,由于空心线圈的直流电阻小,还能改善振荡容限。空心线圈便宜,能谋求高频功率放大装置的低成本化。用散料送料器供给空心线圈,安装在模块衬底上。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 以及
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:其主面上有多条布线的模块衬底;以及安装在上述模块衬底上的包括电感器的多个电子零件,上述电感器具有将用绝缘膜被覆了其表面的线材缠绕成螺旋状的多圈线圈形状,上述线材在其两端部具有从上述绝缘膜露出的部分,上述模块衬底上的多条布线电气连接在上述线材从上述绝缘膜露出的部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;株式会社东日本半导体技术;秋田电子系统株式会社,未经株式会社日立制作所;株式会社东日本半导体技术;秋田电子系统株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01821330.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top