[发明专利]非挥发半导体记忆胞元及其半导体电路配置的制造方法

摘要

本发明提出一种非挥发半导体记忆胞元及其半导体电路配置的制造方法，这种方法是在半导体基材(1)内形成上方具有第一个绝缘层(2)的主动区(AA)、一个电荷储存层(3)、第二个绝缘层(4)、以及一个控制层(5)。为了缩小记忆胞元的面积，故在第三个绝缘层(9)内形成至少与源极区/汲极区(S/D)的部分范围重叠的开口(O)，源极区/汲极区(S/D)经由在绝缘桥形接片(11)上形成的源极引线及汲极引线(SL2，DL1)通过开口(0)彼此直接接触。

主权项

1.一种非挥发半导体记忆胞元，在其半导体基材(1)上有一个用来作为源极区/汲极区(S/D)的主动区(AA)；具有第一个绝缘层(2)；具有电荷储存层(3)；具有第二个绝缘层(4)；具有控制层(5)；具有绝缘保护层(6，7，8)；这种非挥发半导体记忆胞元的特征为：具有一个至少在一部分源极区/汲极区(S/D)上方有开口(O)的第三个绝缘层(9)；以及至少具有一个绝缘桥形接片(11)，以形成至少一条在至少一个侧壁上具有一条源极引线(SL2)及一条汲极引线(DL1)的位线，其中源极引线及汲极引线(SL2，DL1)可分别经由开口(O)直接接触源极区及汲极区(S/D)。