[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 01815004.7 | 申请日： | 2001-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN1449581A | 公开（公告）日： | 2003-10-15 |
| 发明（设计）人： | 篠崎雅雄;西本賢二;秋岡隆志;小原豊;衫田早苗;宫田修作;中里伸二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体衬底某一主表面上给出构成电路的电路元件和布线，以及与该电路电相连的第一电极。在电路上除了第一电极表面上的开口的地方形成有机绝缘膜。在有机绝缘膜上给出第一和第二外部连接电极。在有机绝缘膜上安置至少一层用以电连接第一、第二外部连接电极和第一电极的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.半导体集成电路器件，包括：半导体衬底；电路元件和布线，在半导体衬底某一主表面上给出，构成电路；第一电极，在这一主表面上给出并与电路电相连；有机绝缘膜，在电路上除了第一电极表面上的开口以外的地方给出；第一和第二外部连接电极，在有机绝缘膜上给出；以及导电层，用以将第一、第二外部连接电极与第一电极电连接，其中导电层置于有机绝缘膜上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社，未经株式会社日立制作所;日立超大规模集成电路系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01815004.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
