[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 01135998.6 | 申请日： | 2001-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1351384A | 公开（公告）日： | 2002-05-29 |
| 发明（设计）人： | 佐伯亮;菅原秀人;渡边幸雄;地头所保 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在使用GaP基板的半导体发光元件中,使GaP基板1和发光层7借助于p－InGaP构成的第一接合层2和由p－GaP构成的第二接合层3接合起来。由此,在用热处理使GaP基板1和发光层7接合时,可在500～700℃的温度下热处理,所以可减少发光层7的损坏,而且可避免工作电压的上升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于包括：包含第一导电类型的第一包覆层、第二导电类型的第二包覆层，以及在上述第一和第二包覆层之间设置的活性层的发光层；在上述第二包覆层上设置的第二导电类型的第一接合层；以及在上述第二导电类型的基板上设置的与上述第一接合层接合的第二接合层。
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