[发明专利]半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于包括：

包含第一导电类型的第一包覆层、第二导电类型的第二包覆层，以及在上述第一和第二包覆层之间设置的活性层的发光层；

在上述第二包覆层上设置的第二导电类型的第一接合层；以及

在上述第二导电类型的基板上设置的与上述第一接合层接合的第二接合层。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：上述第一接合层是InGaP，上述第二接合层是GaP。

3.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于还包括：

在上述第一包覆层上设置的第一导电类型的电流扩散层；以及

在上述电流扩散层上形成的电流阻止层。

4.一种半导体发光元件，包括：

n型GaP基板；

在上述基板上形成的n型接合层；

在上述接合层上形成的n型的第一包覆层；

在上述第一包覆层上形成的活性层；

在上述活性层上形成的p型的第二包覆层；以及

在上述第二包覆层上形成的由InGaAlP、GaAlAs中的任一个构成的电流扩散层。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件，其特征在于：还具有在上述电流扩散层的整个表面上形成的电极上形成的电极层，且在配置上述电极层的面上形成的安装层与上述电极层被其晶化。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于：上述活性层是多量子阱结构。

7.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于包括下列工序：

在第一导电类型的第一基板上形成第一导电类型的缓冲层，在该缓冲层上形成第一导电类型的电流扩散层，在该电流扩散层上形成第一导电类型的第一包覆层，在上述第一包覆层上形成活性层，在该活性层上形成第二导电类型的第二包覆层，在上述第二包覆层上形成第二导电类型的第一接合层，从而形成第一半导体层的工序；

在第二导电类型的第二基板上形成第二导电类型的第二接合层，从而形成第二半导体层的工序；

作为上述第一接合层和第二接合层的接合界面，把上述第一半导体层和第二半导体层接合的工序；以及

除去第一基板和缓冲层的工序。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：上述第一基板和第二基板的晶面方向分别设计成从(100)面沿(011)方向、从(100)面沿(011)方向以7～16°范围内的同一角度倾斜。

9.如权利要求7所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：上述第一接合层是InGaP，上述第二接合层是GaP。

10.一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于包括下列工序：

在n型的GaAs基板上形成p型的蚀刻阻止层的工序：

在上述蚀刻阻止层上形成p型的导电层的工序；

在上述导电层上形成p型的电流扩散层的工序；

在上述电流扩散层上形成p型的第一包覆层的工序；

在上述第一包覆层上形成活性层的工序；

在上述活性层上形成n型的第二包覆层的工序；

在上述第二包覆层上形成n型的接合层的工序；

在上述接合层上形成n型的GaP的半导体层的工序；以及

除去上述基板和上述蚀刻阻止层的工序。

11.如权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：通过与上述接合层接合形成上述半导体层。

12.如权利要求10所述的半导体发光元件的制造方法，其特征在于：通过在上述接合层上结晶生长形成上述半导体层。