[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01111348.0 | 申请日： | 2001-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1330405A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 高田佳史;原田繁;竹若博基 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768;H01L21/302;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用现有的半导体制造装置、不使制造方法复杂而能改善凹陷部处的金属膜的台阶覆盖性、可靠性高的半导体装置及其制造方法。解决方法是形成第4和第5层间绝缘膜,形成贯通第4和第5层间绝缘膜的连接口。在连接口中埋入了金属栓后,在包含CF4的气氛中对第5层间绝缘膜和金属栓进行干法刻蚀,将连接口的形状整形为越接近于连接口的开口上端部、开口直径越增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有包含贯通基板上的绝缘膜的导电性的栓的布线结构，其特征在于：具备：第1绝缘膜；第2绝缘膜，被形成在上述第1绝缘膜的上层；导电性栓，被充填在贯通上述第1和第2绝缘膜的连接口的内部；以及布线层，被设置成在上述第2绝缘膜的上层与上述导电性栓导通，上述导电性栓的形状是从上述第2绝缘膜的表面突出的形状，越接近于连接口的开口上端部，上述连接口的开口直径越增大。
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