[发明专利]静电放电保护半导体装置无效
| 申请号： | 01110190.3 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1378280A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 缪俊伟 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电放电保护半导体装置,设置于一接合垫及一既定电位端之间,包括一第一型基底,并于第一型基底形成一第一第二型阱区以及第一第一型掺杂区及第一第二型掺杂区,而第一第一型掺杂区及第一第二型掺杂区分别耦接于既定电位端。在第一第二型阱区中,形成第二第一型掺杂区及第二第二型掺杂区,并分别耦接于接合垫。另外,于第一型基底形成第三第二型掺杂区及第四第二型掺杂区,其中第三第二型掺杂区耦接于接合垫,并在上述第三第二型掺杂区及第四第二型掺杂区之间形成第二第二型阱区。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护半导体装置，设置于一接合垫及一既定电位端之间，其特征在于：该装置包括：一第一型基底；一第一第二型阱区，形成于上述第一型基底；一第一第一型掺杂区及一第一第二型掺杂区，形成于上述第一型基底，并分别耦接于上述既定电位端；一第二第一型掺杂区及一第二第二型掺杂区，形成于上述第一第二型阱区，并分别耦接于上述接合垫；一第三第二型掺杂区，形成于上述第一型基底，并耦接于上述接合垫；一第四第二型掺杂区，形成于上述第一型基底；及一第二第二型阱区，形成于上述第三第二型掺杂区及第四第二型掺杂区之间。
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