[发明专利]磁光记录介质无效
| 申请号： | 01103233.2 | 申请日： | 2001-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1310443A | 公开（公告）日： | 2001-08-29 |
| 发明（设计）人： | 诹访部正次;千叶良久 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/10 | 分类号： | G11B11/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种磁光记录介质,其记录层6记录和存储信息,并包括多个层即第一层6a和第二层6b。第一层6a由饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成。第二层6b由在室温下饱和磁化与亚晶格磁化方向反平行的记录材料制成。用于第二层6b的材料在读出温度附近饱和磁化与亚晶格磁化方向平行。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 | ||
【主权项】：
1．一种磁光记录介质，包括：读出层，它在室温下维持特征为面内磁各向异性的面内磁化状态，随温度升高它改变到特征为垂直磁各向异性的垂直磁化状态；用于记录和存储信息的记录层；以及夹在所述读出层和所述记录层之间用以防止所述读出层和所述记录层之间的交换耦合的非磁性膜；其中，所述记录层包括成分分别不同的第一层和第二层；所述第一层由饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成；而所述第二层由在室温下饱和磁化与亚晶格磁化方向反平行、而在读出温度附近饱和磁化与亚晶格磁化方向平行的记录材料制成，在该读出温度附近所述读出层从面内磁化状态变成垂直磁化状态。
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