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[发明专利]磁头以及磁记录装置-CN202010170190.7有效
发明人：高岸雅幸;成田直幸;前田知幸;岩崎仁志;首藤浩文;永泽鹤美 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括磁极、第1屏蔽件、第1磁性层～第3磁性层及第1中间层～第4中间层。第1磁性层～第3磁性层分别设置在磁极与第1屏蔽件之间、第1磁性层与第1屏蔽件之间、第2磁性层与第1屏蔽件之间。第1中间层设置在磁极与第1磁性层之间，包含选自由Au、Cu、Ag、Al以及Ti构成的第1组的至少一种。第2中间层设置在第1磁性层与第2磁性层之间，包含选自由Ta、Ir、W、Mo、Cr、Tb、Rh以及Pd构成的第2组的至少一种。第3中间层设置在第2磁性层与第3磁性层之间，包含选自第1组的至少一种。第4中间层设置在第3磁性层与第1屏蔽件之间，包含选自第2组的至少一种。
磁头以及记录装置

[发明专利]一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法-CN202010636656.8有效
发明人：王思聪;魏琛;李向平 -专利权人：暨南大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明公开一种面向超快超分辨全光磁记录的双脉冲激发方法，包括第一激发脉冲和第二调节脉冲，依次先后入射向光磁记录媒介使其被激光脉冲光斑所照射的区域发生全光磁反转；通过精确灵活控制双飞秒激光脉冲间的时间延迟、空间重叠区域以及能量密度比，可在能够实现单脉冲全光磁反转的光磁材料上两脉冲的空间重叠区域内诱导产生磁化场的二次反转，以获得超越衍射极限限制的全光磁记录，这一记录过程发生在几百皮秒(亚纳秒)时间尺度，为超高密度、超快磁存储提供有效的技术手段。
一种面向超快超分辨全光磁记录脉冲激发方法

[发明专利]多阶记录方法及其系统-CN201110291088.3有效
发明人：周丽新;向超宇 -专利权人：周丽新
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阶记录方法及其系统，适用于记录介质，多阶记录方法包括下列步骤：首先，提供多个光束至记录介质的记录层，记录层具有第一结构和第二结构；接着，利用侦测单元侦测第一结构的第一偏振反射光和第二结构的第二偏振反射光，以计算出第一偏振反射光和该第二偏振反射光之偏振角度差值；再接着，利用储存单元储存对应表，对应表包括偏振角度差值及多阶记录的对应关系；最后，通过处理单元查询对应表，以进行多阶记录。
记录方法及其系统

[发明专利]带电路的悬挂基板-CN201010568498.3有效
发明人：西尾创 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供一种带电路的悬挂基板，该带电路的悬挂基板具备电路基板和光波导，该电路基板具备金属支承基板、形成在金属支承基板上的绝缘层以及形成在绝缘层上的导体层，该光波导被设置于电路基板。光波导具备：下包层；芯层，其形成在下包层上；以及上包层，其形成在芯层上，当向芯层的厚度方向投影上包层时，上包层被包含在芯层中。在光波导中设置有定位部和保护层，该定位部用于对光波导和利用从光波导照射的光来产生近场光的近场光产生部进行定位，该保护层覆盖定位部。
电路悬挂

[发明专利]光传输波导-CN201010542357.4有效
发明人： C·彭;E·C·盖奇;K·佩尔赫斯 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：在记录磁头滑动器上安装光源和波导。光线从光源发射到波导中。波导可以包括用于光线传输的两个芯层。第一芯层使从光源到第二芯层的光耦合效率增大。第二芯层转换光的分布。波导可以包括在光源附近具有窄开口以及在锥形部分出口附近具有宽开口的锥形部分。可以把通过波导的光线引向准直镜。准直镜使光线平行或接近平行，并且把光再引导到聚焦镜。聚焦镜把经准直的光线聚焦到磁性介质盘上的一个点上。
传输波导

[发明专利]含有表面等离子体天线和具有凹槽的波导管的近场光发生器-CN201010001821.9无效
发明人：小村英嗣;岛泽幸司 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：提供了一种使尽可能大量的波导光可与等离子体天线相耦合的近场光发生器。所述元件包括光波导管以及等离子体天线，所述等离子体天线包括用于传播由所述波导光所激发的表面等离子体的表面或边缘，所述表面或边缘延伸至所述近场光发生末端。一凹槽形成在所述波导管的侧表面中。所述传播表面或所述传播边缘的至少一部分被嵌入所述凹槽中或者直接位于所述凹槽上方，所述至少一部分以预定距离与所述凹槽的壁表面或底表面相对，从而用于使波导光以表面等离子体模式与所述等离子体天线相耦合。该配置能够使表面或边缘位于如下位置，在该位置中所述表面或边缘可与更大量的光相耦合，从而提高光利用率。
含有表面等离子体天线具有凹槽波导管近场发生器

[发明专利]信息存储器件、信息存储设备及其存储和读取方法-CN200910079263.5有效
发明人：张原峰 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种信息存储器件、信息存储设备及其存储和读取方法，该信息存储器件包括：光波导元件、保护元件以及夹设在所述光波导元件和所述保护元件之间的数个信息存储元件，所述信息存储元件中设有已磁化的铁磁透光物质，当所述已磁化的铁磁透光物质在外加磁场作用下靠近所述光波导元件且光线从所述光波导元件透射出所述保护元件时，所述信息存储元件被写入或读取第一信息，当所述已磁化的铁磁透光物质在外加磁场作用下远离所述光波导元件时，所述信息存储元件被写入或读取第二信息。本发明信息存储器件、信息存储设备及其存储和读取方法实现了可无限次重复写入和读取信息，且信息记录和读取的可靠性较高。
信息存储器件设备及其读取方法

[发明专利]用于转换可磁化介质的磁光转换装置和方法-CN200680054687.0有效
发明人：特奥多鲁斯·亨利克斯·玛丽亚·拉辛;安德烈·伊万诺夫伊奇·基里利乌;阿列克埃·沃尔德马罗维特斯杰·基梅尔;克劳迪乌·丹尼尔·斯坦丘;弗雷德里克·汉斯廷;伊藤彰义;塚本新 -专利权人：天主教大学基金会;即内梅亨大学医疗中心
申请日： 2006-05-24 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G11B11/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于转换介质中的磁性的磁光转换装置，该装置包括可磁化介质。根据本发明，放射系统适用于向所述可磁化介质的磁自旋系统施加角动量，以对所述介质的磁性进行选择性地取向。另外，本发明还涉及转换可磁化介质的方法，包括：提供可磁化介质；提供具有选择性选择的角动量的放射光束；以及将该放射光束靶向该介质以将该角动量传递给该可磁化介质的磁自旋系统。因此，通过使用适当的角动量，能够控制磁材料中的自旋状态。有效磁场被产生以对磁畴的磁化进行取向并能够同步地用于局部加热该材料。
用于转换磁化介质装置方法

[发明专利]用于热辅助记录系统的方法、系统和计算机程序产品-CN200910003384.1无效
发明人：杰弗里·S·利尔 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及用于热辅助记录系统的方法、系统和计算机程序产品。根据一实施例的一种方法包括：使用加热装置，在记录操作期间在磁介质上引起局部加热；检测所述加热装置附近的温度；检测所述加热装置的电流；以及如果温度和电流的至少一种的函数在可接受的操作区域之外则采取一行动。根据另一实施例的一种方法包括：选择加热装置的初始电流以用于在记录操作期间在磁介质上引起局部加热；启动所述加热装置；进行记录操作；在所述记录操作期间监视所述加热装置附近的温度；以及如果所述温度和所述电流的函数在可接受的操作区域之外，则改变操作参数使得所述温度和电流的函数处于可接受的操作区域内。
用于辅助记录系统方法计算机程序产品

[发明专利]头滑动器-CN200810211423.2无效
发明人：田和文博;小田岛涉;长谷川信也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种头滑动器，其用于通过采用微小光斑照射记录介质的磁记录。头滑动器包括：滑动器主体，其具有面对记录介质的底表面和与所述底表面相反的顶表面；光学头，其设置在所述滑动器主体中，以用光照射所述记录介质；以及光学层，其传播从外部供应的光，并且将所述光引导到所述光学头。所述光学层沿形成在所述滑动器主体的一部分中的弯曲表面弯曲，以形成弯曲的光传播路径。
滑动

[发明专利]激光诱导磁记录静态测试方法及系统-CN200810200093.7无效
发明人：李晶;魏慎金;廖嘉霖;周仕明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2008-09-18 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明涉及激光诱导磁记录静态测试方法及测试系统，主要是运用磁记录介质对光频的选择响应及热磁效应等，实现的一种高密度、光磁混合静态存储测试技术方案。它采用一定频率及输出功率的激光为热诱导辅助光源，选择与光频相适应的磁记录介质，利用磁场调制、巨磁阻磁头静态写读方式，使磁记录介质在适当的磁记录方式(纵向磁记录或垂直磁记录)下会保持该写入磁场方向和强度信息，把信号以磁矩的形式保存在介质上，从而实现信息的激光诱导磁调制静态写入或擦除、巨磁阻磁头读出，完成相应的一系列测试过程。该系统结构简单、准确度高、磁记录密度大，能够非常经济地实现高密度的静态存储和测试。
激光诱导记录静态测试方法系统

[发明专利]Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用-CN200810064311.9无效
发明人：高智勇;隋解和;蔡伟;谈昌龙 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-04-16 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用，它涉及Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金的新用途，特别是Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用。本发明解决了磁存储介质存在受超顺磁效应限制，记录密度高密度化受到限制的问题以及相变光存储介质需要一定的热积累过程，同时受存储介质热传导效应影响，导致信息存储密度低、写入及擦除速度慢的问题。一种Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金作为光磁混合存储材料的应用是以所述Ni－Mn－Ga磁驱动记忆合金用作光磁混合存储材料。光磁混合存储是一种全新的信息存储方式，它结合磁存储和光存储的优点，具有理论极限记录密度高、读出分辨率及灵敏度高、存取速度快等优点。
ni mn ga 驱动记忆合金作为混合存储材料应用

[发明专利]具有倾斜金属导针的近场光学换能器-CN200710127474.2有效
发明人：彭初兵;L·贺 -专利权人：希捷科技有限公司
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：一种光学换能器，包括用于将电磁波引导到聚焦区域的光学元件，以及具有不与电磁波的电场平行的纵向轴线的金属纳米结构。用于引导电磁波的光学元件可由固体浸没透镜、固体浸没镜子、或平面波导中的一种构成。金属纳米结构由金属导针构成。金属纳米结构可构造和设置成用于将能量谐振耦合到记录介质内。
具有倾斜金属近场光学换能器

[发明专利]信息记录装置-CN200610161891.4有效
发明人：长谷川信也 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息记录装置，它包括：记录介质；由致动单元驱动的摆动臂，所述摆动臂响应于致动单元的进行的驱动而在记录介质表面上方摆动；记录头，所述记录头由摆动臂承载，并随着由致动单元使摆动臂进行的摆动而在记录介质的表面上方扫描，所述记录头向记录介质记录信息；头缩回机构，在处于不在记录介质上记录信息的卸载状态下，所述头缩回机构使记录头缩回记录介质之外；光注入单元，将光注入到记录头中，记录头包括光照射部分，在向记录介质记录信息时，所述光照射部分将注入到记录头的光照射到记录介质上，其中，光注入单元与头缩回机构是一体的，形成整体式光注入及头缩回机构。
信息记录装置

[发明专利]光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置-CN200480044531.5无效
发明人：青山信秀 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G11B11/105 文献下载
摘要：本发明提供光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。不对光学存储介质(4)进行退火处理而在上述光学存储介质的退火管理区域(40)中记录退火管理信息(40－1)，提供给用户。如果根据用户的选择对上述光学存储介质进行退火处理，则可以通过记录轨道间的区域的退火效果而进行高密度记录再现。存储介质生产厂家可以通过省略退火处理来提供低价的介质。另外，因为退火效果而无需加深用于介质中的基板的沟槽，所以易于制造上述基板。进而，如果在待进行退火的区域的凹坑部记录广告信息，则也可以在退火处理中再现上述广告信息，能够用广告费来弥补介质价格。
光学存储介质制造方法以及装置

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