[实用新型]半导体抑制栅无效
| 申请号： | 00266249.3 | 申请日： | 2000-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN2470958Y | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 沈建平;陈俊标 | 申请（专利权）人： | 宜兴市东大微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 宜兴市天宇专利事务所 | 代理人： | 史建群,蔡凤苞 |
| 地址： | 214205 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 实用新型是对半导体抑制栅的改进,尤其用于微电子设备的过电压保护,其特征采用彼此独立的二片三个PN结芯片并列焊接在同一引线条上,并彩用Al－Ti－Ni－Ag四层金属复合电极,及氧化硅－氮化硅复合多层绝缘介质膜。不仅大大提高工业生产成品率,成本低,而且抗大电流特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 抑制 | ||
【主权项】：
1、一种半导体抑制栅，包括并列的二个纵向有三个PN结芯片，连接最外层PN区的金属电极，和芯片电极外围的绝缘介质膜，其特征在于所说二个并列芯片彼此独立，共同焊接在引线条上。
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