[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 00104132.0 申请日: 2000-03-13
公开(公告)号: CN1267087A 公开(公告)日: 2000-09-20
发明(设计)人: 伊藤茂康 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/28;H01L23/50;H01L23/34;H01L21/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,张志醒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体器件,该半导体器件的制造方法可以简化,并能实现集成度高而且薄的半导体芯片。半导体器件包括基片和其中有集成电路的半导体芯片。半导体芯片以其第一表面粘结在基片上,并在其另一个表面上具有连接到外界的电极部分。在半导体芯片的侧壁和另一个表面上形成封装层,后者在形成半导体芯片的电极部分的位置上有开孔。在开孔中和封装层上形成用来连接到半导体芯片的电极部分的布线图案。还描述了所述半导体器件的制造方法。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,它包括:基片;半导体芯片,其上有集成电路,所述半导体芯片以其第一表面粘结基片上,在与所述第一表面相对的半导体芯片的第二表面上有电极部分,用来在电气上连接到外界;封装层,用来封装所述半导体芯片,所述封装层形成在所述半导体芯片的侧壁以及所述第二表面上,并且具有在其中的、在形成所述半导体芯片的所述电极部分的位置上的开孔;以及布线图案,用来在电气上连接到所述半导体芯片的所述电极部分,所述布线图案是在所述开孔中和所述封装层上形成的。
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