[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
申请号: | 00104132.0 | 申请日: | 2000-03-13 |
公开(公告)号: | CN1267087A | 公开(公告)日: | 2000-09-20 |
发明(设计)人: | 伊藤茂康 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/28;H01L23/50;H01L23/34;H01L21/50 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴增勇,张志醒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,它包括:
基片;
半导体芯片,其上有集成电路,所述半导体芯片以其第一表面粘结基片上,在与所述第一表面相对的半导体芯片的第二表面上有电极部分,用来在电气上连接到外界;
封装层,用来封装所述半导体芯片,所述封装层形成在所述半导体芯片的侧壁以及所述第二表面上,并且具有在其中的、在形成所述半导体芯片的所述电极部分的位置上的开孔;以及
布线图案,用来在电气上连接到所述半导体芯片的所述电极部分,所述布线图案是在所述开孔中和所述封装层上形成的。
2.按照权利要求1的半导体器件,其特征在于:在所述侧壁上形成的所述封装层配备有散热层,用来耗散由所述半导体芯片产生的热量。
3.按照权利要求1的半导体器件,其特征在于:用导线保护层覆盖所述布线图案,以便保护所述布线图案。
4.一种制造半导体器件的方法,它包括以下步骤:
把其中带有集成电路的半导体芯片以其第一表面粘结到基片上;
在所述半导体芯片的侧壁和与其第一表面相对的第二表面上形成封装层,用来封装所述半导体芯片;
在所述封装层中、所述半导体芯片的所述第二表面上形成电极部分的位置上形成开孔;
在所述开孔中和所述封装层上以预定的图案形成包括导电材料的布线层。
5.按照权利要求4的半导体器件制造方法,其特征在于还包括在所述布线层上形成用来保护所述布线层的导线保护层的步骤。
6.按照权利要求4的半导体器件制造方法,其特征在于:所述形成所述布线层的步骤包括用从包括树脂的导电材料和包括树脂的柔性导电材料之一中选出的材料填充所述开孔的步骤,以及在所述封装层上形成布线层的步骤。
7.按照权利要求4的半导体器件制造方法,其特征在于:所述形成封装层的步骤包括在所述侧壁上形成用来耗散由所述半导体芯片产生的热量的散热层的步骤,和在所述半导体芯片和所述散热层上形成绝缘层的步骤。
8.一种半导体器件的制造方法,它包括以下步骤:
把其中具有集成电路的半导体芯片以其第一表面粘结到基片上;
在所述半导体芯片的侧壁和与所述第一表面相对的第二表面上形成用来封装所述半导体芯片的封装层;
在所述绝缘层上形成包括导电材料的、用来把所述半导体芯片电连接到外界的布线层;
在所述封装层和所述布线层中、在所述半导体芯片的所述第二表面上形成电极部分的位置形成开孔;以及
由所述布线层形成预定的布线图案,所述布线图案包括设置于所述开孔中的导电材料。
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