[发明专利]存储器组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 00102664.X 申请日: 2000-02-25
公开(公告)号: CN1264924A 公开(公告)日: 2000-08-30
发明(设计)人: 宫本俊夫;西村朝雄;管野利夫 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L25/18;H01L23/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提高半导体芯片的安装密度和存储器组件的容量以及适应高速总线的存储器组件。此存储器组件包含多个具有作为外部端子的突出端子和用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的WPP、具有半导体芯片、作为外部端子的外引线、并经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的TSOP、以及支撑WPP和TSOP的组件板,其中的WPP和TSOP借助于同时回流而以混合方式安装在组件板上。
搜索关键词: 存储器 组件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种存储器组件,它包含:具有突出的端子作为外部端子,经由突出端子安装并配备有用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的突出端子半导体器件;具有外引线作为外部端子,经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的引线端子半导体器件;以及支持突出端子半导体器件和引线端子半导体器件的组件板;其中的突出端子半导体器件和引线端子半导体器件以混合方式安装在组件板上。
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