[发明专利]存储器组件及其制造方法

说明书

本发明涉及到半导体制造工艺，更确切地说是涉及到能够有效地用来将半导体芯片高密度地安装在存储器组件上的工艺。

下面所述工艺是本发明人在研究和完成本发明过程中所讨论的工艺，简述如下。

存储器组件是一种安装多个半导体器件的组件产品。

存储器组件包括多个半导体器件，这些半导体器件具有安装在组件板的一个表面上或正反二个表面上的存储器芯片。在将存储器安装到个人计算机或工作站的过程中，存储器组件以各个组件作为单位，通过安装在个人计算机或工作站中提供的母板上，对存储器进行安装。

作为安装在存储器组件上的半导体器件，曾经使用过一种称为SMD(表面安装器件)的表面安装类型的器件，它具有用树脂密封的半导体芯片，并具有用来将电极引到树脂密封部分外面的引线端子(外部端子)，其代表是TSOP(薄型小外廓封装)和TCP(载带封装)。

在例如日本专利公开No.209368/1998、258466/1989和86492/1995中，公开了各种各样结构的组件产品。

日本专利公开No.209368/1998公开了一种CPU(中央处理单元)组件，而日本专利公开No.258466/1989公开了一种具有DRAM(动态随机存取存储器)芯片的安装有存储器组件的SMD部件。日本专利公开No.86492/1995公开了用来在MCM(多芯片组件)中涂敷下方填充树脂的工艺。

因为被密封的封装本体(半导体器件本体)和外部引线的存在，待要安装在上述常规存储器组件上的SMD部件比芯片尺寸具有更大的封装尺寸。

结果，对能够安装在组件板上的半导体芯片的数目产生了限制。

而且还引起下面的问题，即由于密封附加的电感，致使难以设计具有高速接口以满足高速CPU的存储器组件。

本发明的目的是提供一种由于提高了半导体芯片安装密度而贡献增大的组件容量并能够适应高速总线的存储器组件及其制造方法。

从说明书和附图的描述中，本发明的上述和其它的目的以及新颖特点将变得明显。

下面简要地描述本说明书所公开的本发明的代表性例子。

亦即，本发明的存储器组件包含具有突出的端子作为外部端子，经由突出端子安装并配备有用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极之间的间距的布线部分的突出端子半导体器件；具有外引线作为外部端子，经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的引线端子半导体器件；以及支持突出端子半导体器件和引线端子半导体器件的组件板；其中的突出端子半导体器件和引线端子半导体器件以混合方式安装在组件板上。

本发明的存储器组件还包含具有突出的端子作为外部端子，经由突出端子安装并配备有作为用来使突出端子之间的间距扩大成大于半导体芯片区域中的键合电极之间的间距的布线部分的重新布线部分的芯片尺寸的突出端子半导体器件；具有外引线作为外部端子，经由电连接到半导体芯片的键合电极的外引线安装的引线端子半导体器件；以及支持突出端子半导体器件和引线端子半导体器件的组件板；其中的突出端子半导体器件和引线端子半导体器件以混合方式安装在组件板上。

因此，在以混合方式将突出端子半导体器件与引线端子半导体器件安装到一起的过程中，完成安装所需的安装面积几乎等于那些半导体芯片的面积。

因此，能够以最小的面积来安装半导体芯片，使得有可能提高半导体芯片的安装密度。

这使得有可能提高存储器组件的组件容量。

根据本发明的制造存储器组件的方法，包含制备具有作为外部端子的突出端子以及用来使突出端子的间距扩大成大于半导体芯片的键合电极的间距的布线部分的突出端子半导体器件的步骤；制备具有作为电连接到半导体芯片的键合电极的外部端子的外引线的引线端子半导体器件的步骤；在组件板上安排突出端子半导体器件和引线端子半导体器件的步骤；以及同时回流突出端子半导体器件和引线端子半导体器件，以便将它们安装在组件板上的步骤；其中的突出端子半导体器件和引线端子半导体器件以混合方式安装在组件板上。