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[发明专利]包括凹槽膜的边缘耦合器-CN202111269188.6在审
发明人：泰蒙·巴维奇;R·K·莱迪;托马斯·霍顿 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本申请涉及包括凹槽膜的边缘耦合器，揭示了包括边缘耦合器的结构和制造包括边缘耦合器的结构的方法。该结构包括在第一介电层上的波导核心区，以及在波导核心区和第一介电层上的第二介电层。波导核心区具有锥形区段，锥形区段的端面终止于邻近第一介电层的边缘。第二介电层包括第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽各自位于邻近波导核心区的锥形区段。
包括凹槽边缘耦合器

[发明专利]用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置-CN202111286472.4在审
发明人： D·J·J·洛;R·K·莱迪;陈学深 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及用于位单元中非易失性存储器元件的多级单元配置，揭示了包括非易失性存储器元件的结构和制造包括非易失性存储器元件的结构的方法。第一、第二和第三非易失性存储器元件各自包括第一电极、第二电极、及在第一电极和第二电极之间的切换层。第一位线耦合到第一非易失性存储器元件的第一电极和第二非易失性存储器元件的第一电极。第二位线耦合到第三非易失性存储器元件的第一电极。
用于单元非易失性存储器元件多级配置

[发明专利]用于主动地控制的光学成像设备的系统和方法-CN201680069835.X有效
发明人： G·J·特尔尼;R·K·莱迪;M·J·哥拉;K·K·储;M·贝蒂 -专利权人：通用医疗公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： A61B1/005 文献下载
摘要：提供了用于被配置成被集成到光学系统中以供医疗诊断的栓系式光学成像探针的系统和方法。在一种配置中，本公开提供了一种栓系式光学成像探针，其包括布置在可吞咽的胶囊内的电机。电机的旋转速度由反馈信号主动地控制。
用于主动控制光学成像设备系统方法

[发明专利]在光波导之间用于光信号传输的具有垂直对准光栅耦合器的多芯片模块-CN201710570016.X有效
发明人：杰佛瑞·P·卡比诺;R·K·莱迪;J·J·埃利斯莫纳格汉;B·T·古驰;J·C·马灵;J·C·罗森堡 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及在光波导之间用于光信号传输的具有垂直对准光栅耦合器的多芯片模块，所揭示的是容许芯片间光信号传输的多芯片模块(MCM)。MCM可合并至少两个附接(例如通过互连件)的组件。举例而言，在本文中所揭示的一个MCM中，这两个组件可以是集成电路芯片以及附接至该集成电路芯片的中介层，并且一或多个附加集成电路芯片是通过互连件来附接。在本文中所揭示的另一MCM中，这两个组件可以是堆叠并通过互连件彼此附接的两个集成电路芯片。在任一例中，这两个组件各可具有波导以及耦合至该波导一端的光栅耦合器。不同组件上的光栅耦合器可大约垂直对准，从而容许在那些不同组件上的该等波导之间传送光信号。本文中还揭示形成此类MCM的方法。
波导之间用于信号传输具有垂直对准光栅耦合器芯片模块

[发明专利]避免高反射率界面的CMOS成像器-CN200580044500.4有效
发明人： J·W·阿基森;J·P·甘比诺;M·D·贾菲;R·K·莱迪;R·J·拉斯尔;A·K·斯坦珀 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-12-14 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种图像传感器(20)及制造方法，其中该传感器包括铜(Cu)金属化级(135a，135b)，允许结合较薄的级间介质叠层(130a－130c)以导致象素阵列(100)显示增加的光敏感性。图像传感器包括具有最小厚度的阻挡金属层(132a，132b)的结构，阻挡金属层经过传感器阵列中的每个象素的光路，或者具有从每个象素的光路选择除去的阻挡金属层的一部分(50)，从而最小化反射率。即，通过进行各种阻挡或单掩模方法，在阵列中的每个象素的光路的位置完全除去阻挡金属层的一部分。在另一个实施例中，可以通过自对准沉积在Cu金属化上形成阻挡金属层(142)。
避免反射率界面 cmos 成像

[发明专利]像素传感器结构以及半导体结构的制造方法-CN200610164118.3有效
发明人： R·J·拉塞尔;J·W·阿基森;J·P·甘比诺;R·K·莱迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-11-14 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种光传感结构及其形成方法。所述结构包括(a)半导体衬底和(b)在所述半导体衬底上的光收集区域。所述结构还包括在所述光收集区域的顶部上的漏斗状光导管。所述漏斗状光导管包括(i)在所述光收集区域的的顶部上的底部柱状部分，以及(ii)具有锥形形状且在所述底部柱状部分的顶部上并与所述底部柱状部分直接物理接触的漏斗状部分。所述结构还包括在所述漏斗状光导管的顶部上的滤色区域。
像素传感器结构以及半导体制造方法

[发明专利]用于形成有源像素传感器单元结构的方法-CN200510124204.7有效
发明人： J·W·阿基森;M·D·贾菲;A·P·约翰逊;R·K·莱迪;J·C·马林 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-21 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。
用于形成有源像素传感器单元结构方法