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[发明专利]用于处理衬底的方法以及电子器件-CN201710036371.9有效
发明人： M·米希兹;M·海恩里希;O·赫尔蒙德;P·伊尔西格勒;F·科勒纳;M·勒斯纳;M·施内甘斯;C·特拉范 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：根据各种实施例，一种用于处理衬底的方法可包括：处理通过切割区域而彼此分离的衬底中的多个器件区域，每个器件区域包括至少一个电子部件；其中处理所述多个器件区域中的每个器件区域包括：在器件区域中形成至衬底的凹部，其中凹部由衬底的凹部侧壁限定，其中凹部侧壁布置在器件区域中；在凹部中形成接触焊盘，以电连接至少一个电子部件，其中接触焊盘具有比凹部侧壁更大的孔隙率；以及通过在切割区域中切割衬底而将所述多个器件区域彼此单片化。
用于处理衬底方法以及电子器件

[发明专利]制作层的方法和器件-CN201611073551.6有效
发明人： M·米希兹;M·海恩里希;B·艾兴格;M·施内甘斯;S·克里维克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本申请涉及制作层的方法和器件。提供一种制造电子器件的方法，所述方法包括：在衬底中形成至少一个电子组件；形成与所述至少一个电子组件电接触的接触焊盘；其中形成所述接触焊盘包括：在所述衬底之上形成第一层；将所述第一层平坦化以形成所述第一层的平坦化表面；以及在所述平坦化表面之上形成第二层，其中所述第二层具有比所述第一层更低的孔隙度。
制作方法器件

[发明专利]用于处理芯片的方法-CN201610165364.4有效
发明人： M·施内甘斯;M·聪德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：在不同实施方式中提供了芯片。所述芯片可以包含芯片体和在所述芯片体的前侧上的正面金属化结构和/或在所述芯片体的背侧上的背侧金属化结构，使得所述芯片在芯片固定方法的温度范围内是平坦的或者具有正的曲率半径。
用于处理芯片方法

[发明专利]具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件-CN201610365247.2有效
发明人： M·施内甘斯;F·黑林;H-J·舒尔策;B·魏德甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及具有电连接至导电结构的金属结构的半导体器件。半导体器件(500)包括半导体裸片(900)，该半导体裸片(900)包括导电结构(150)。金属结构(350)电连接至导电结构(150)并且包含第一金属。辅助层堆叠(320)夹设在导电结构(150)与金属结构(350)之间，并且包括粘附层(325)，该粘附层(325)包括第二金属。辅助层堆叠(320)进一步包括金属扩散阻挡层(321)，该金属扩散阻挡层(321)在粘附层(325)与导电结构(150)之间。粘附层(325)包含该第一金属和第二金属。
具有连接导电结构金属结构半导体器件

[发明专利]源极向下半导体器件及其制造方法-CN201510468210.8有效
发明人： M·施内甘斯;A·梅瑟;M·米希兹;M·勒斯纳;M·皮恩克佐利兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底中形成器件区域，半导体衬底包括第一侧和第二侧。器件区域与第一侧邻近地形成。该方法还包括：在半导体衬底的第一侧之上形成种子层；在种子层之上形成经图案化的抗蚀剂层。在经图案化的抗蚀剂层内在种子层之上形成接触焊盘。该方法还包括：在形成接触焊盘之后，去除经图案化的抗蚀剂层，以露出种子层的在经图案化的抗蚀剂层之下的部分；以及在种子层的露出的部分之上形成保护层。 1
种子层抗蚀剂层图案化衬底半导体半导体器件接触焊盘器件区域保护层去除源极邻近制造

[发明专利]包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法-CN201410174094.4有效
发明人： M·聪德尔;M·施内甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种包括沟槽晶体管单元阵列的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅半导体本体中的沟槽晶体管单元阵列，该硅半导体本体具有第一主表面以及与第一主表面相对的第二主表面。半导体本体的在第一主表面和第二主表面之间的主侧面具有沿着平行于第一和第二主表面的第一横向方向的第一长度。第一长度等于或者大于半导体本体的其它侧面的长度。沟槽晶体管单元阵列主要包括线性栅极沟槽部分。至少50％的线性栅极沟槽部分沿着第二横向方向或者垂直于第二横向方向延伸。第一和第二横向方向之间的角度在45°±15°范围内。
包括沟槽晶体管单元阵列半导体器件及其制造方法

[发明专利]假肢套筒及其制造方法-CN201410643465.9有效
发明人： H-G·扬森;M·施内甘斯;W·施内甘斯 -专利权人：奥托·博克保健有限公司
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： A61F2/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种假肢套筒，具有用于让假肢插入的插入开口(4)，其中，在该套筒(4)上构造关节区域(3)，一端部区域(2)一体地连接在所述关节区域上。本发明还涉及一种用于制造假肢套筒(1)的方法，其中，在空心的弹性体载体(9)的外侧上施加纺织中间层(8)，在所述纺织中间层上施加硅树脂层(7)。所述套筒(1)由弹性体材料构成，其在所述关节区域(3)中具有比在所述端部区域(2)中小的肖式硬度。
假肢套筒及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其生产方法-CN201310757220.4有效
发明人： I·尼基廷;M·施内甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其生产方法。一个半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面，其中第二主面是所述半导体芯片的背面。进一步地，所述半导体器件包括导电层，特别地，被布置在所述半导体芯片的第二主面的第一区域上。进一步地，所述半导体器件包括聚合物结构，所述聚合物结构被布置在所述半导体芯片的第二主面的第二区域上，其中第二区域是所述半导体芯片的第二主面的外围区域，且第一区域与第二区域毗邻。
半导体器件及其生产方法

[发明专利]半导体器件及其产生方法-CN201310757285.9有效
发明人： A·海因里希;F·马里阿尼;M·施内甘斯;B·魏德甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件和及其产生方法。半导体器件包括半导体芯片，所述半导体芯片包括第一主面和第二主面。所述第二主面是所述半导体芯片的背侧。所述第二主面包括第一区域和第二区域。所述第二区域是所述第二主面的外围区域，并且所述第一区域的水平面与第二区域的水平面不同。所述第一区域可以被填充有金属并且可以被平面化为与所述第二区域相同的水平面。
半导体器件及其产生方法

[发明专利]电解质、形成铜层的方法以及形成芯片的方法-CN201510920779.3在审
发明人： W·罗布尔;F·黑林;M·梅尔兹尔;M·施内甘斯;B·魏德甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种电解质。该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，并且所述电解质不含有碳纳米管。本发明还涉及提供一种形成金属层的方法，该方法可以包括使用电解质在载体上沉积金属层，其中该电解质可以包括至少一种配置为在温度超过大约100℃时分解或蒸发的添加剂和一种水溶性金属盐，其中所述电解质不含有碳纳米管；以及对金属层退火以形成含有多个孔的金属层。本发明还涉及一种半导体器件，该半导体器件可以包括包含多个孔的金属层，其中所述多个孔可以形成在金属层中，同时添加剂的残余物存留在所述多个孔中并已经至少部分分解或蒸发。本发明还涉及一种金属层。
电解质形成方法以及芯片

[发明专利]假肢美化装置-CN201280059115.7有效
发明人： S·萨瓦茨基;M·施内甘斯;S·扎林;S·尼德施特拉塞尔;A·克鲁泽;I·施乐希格;C·施密特;D·哈泽 -专利权人：奥托·博克保健有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： A61F2/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种假肢美化装置(1)，用于覆盖一假肢(10)，所述假肢美化装置具有一远离身体区段(2)和一关节区段(3)，所述关节区段在所述假肢美化装置(1)的施加状态下遮盖一关节装置(30)，所述关节装置布置在一近身体假肢部件(40)和一远离身体假肢部件(20)之间，其中，所述关节区段(3)由一3D间隔编织物构成，所述3D间隔编织物具有上织物和下织物，所述上织物和下织物通过支撑线彼此间隔开地相互毗邻固定。
假肢美化装置

[发明专利]假肢套筒及其制造方法-CN201080049287.7有效
发明人： H-G·扬森;M·施内甘斯;W·施内甘斯 -专利权人：奥托·博克保健有限公司
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： A61F2/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种假肢套筒，具有用于让假肢插入的插入开口(4)，其中，在该套筒(4)上构造关节区域(3)，一端部区域(2)一体地连接在所述关节区域上。本发明还涉及一种用于制造假肢套筒(1)的方法，其中，在空心的弹性体载体(9)的外侧上施加纺织中间层(8)，在所述纺织中间层上施加硅树脂层(7)。所述套筒(1)由弹性体材料构成，其在所述关节区域(3)中具有比在所述端部区域(2)中小的肖式硬度。
假肢套筒及其制造方法

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