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[发明专利]间隙充填技术中的准确薄膜厚度控制-CN201510133606.7有效
发明人：李宁;闫文波;V·恩古耶;C·特林;M·巴尔塞努;夏立群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本文公开的实施例一般地涉及基板处理，及更具体地涉及使用沉积蚀刻循环精确控制薄膜厚度的方法。具体地，本公开案的实施例可用于在充填高深宽比特征结构期间控制薄膜厚度。
薄膜薄膜厚度控制高深宽比基板处理间隙充填蚀刻循环特征结构充填可用沉积

[发明专利]形成磁性隧穿结的方法-CN201580010185.7在审
发明人： M·帕卡拉;M·巴尔塞努;J·杰曼;J·安;L·薛 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：公开了一种用于制造MRAM位的方法，所述方法包括沉积间隔层，所述间隔层用以在处理期间保护隧穿阻挡层。所沉积的间隔层防止在后续处理中形成的副产物再沉积在隧穿阻挡层上。这种再沉积会造成产品故障并降低制造产率。此方法进一步包括非侵蚀性的处理条件，防止对MRAM位的多层造成损伤。此非侵蚀性的处理条件可包括在不使用卤素类等离子体的情况下进行蚀刻。本文公开的实施例采用了简化处理的蚀刻‑沉积‑蚀刻顺序。
形成磁性隧穿结方法

[发明专利]利用空间原子层沉积进行无缝间隙充填-CN201510100266.8在审
发明人： N·李;V·恩古耶;M·巴尔塞努;L-Q·夏;S·D·马库斯;H·杨;K·塔纳卡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本文中揭示的实施例一般是关于在高深宽比特征中形成电介质材料。在一个实施例中，揭示一种用于在一个处理腔室中充填高深宽比沟槽的方法。所述方法包括将基板置于处理腔室内部，在所述腔室中，基板具有一表面，所述表面具有数个高深宽比沟槽，及所述表面面向气体/等离子体分配组件。所述方法进一步包括执行以下序列：在基板表面上及数个沟槽中的每一个内侧沉积电介质材料层，在此情况下，电介质材料层位于每一沟槽底部及侧壁上；并去除安置在基板表面上的电介质材料层的一部分，在此情况下，每一沟槽的开口被扩大。重复进行所述序列，直至利用电介质材料无缝充填了沟槽为止。
利用空间原子沉积进行无缝间隙充填

[发明专利]原子层沉积氮化硅膜的原位碳和氧掺杂-CN201510098387.3在审
发明人： V·恩古耶;M·巴尔塞努;N·李;S·D·马库斯;M·沙立;D·汤普森;L-Q·夏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本文中揭露的实施方式大体上涉及衬底的处理，且更具体而言，涉及用于形成电介质膜的方法。在一实施方式中，所述方法包括：将多个衬底放置在处理腔室内部，且执行以下序列：将所述衬底暴露于包含硅的第一反应性气体，且然后将所述衬底暴露于包含氮以及氧或碳中的至少一个的第二反应性气体的等离子体，以及重复所述序列以在所述衬底的每一个上形成包含碳氮化硅或碳氮氧化硅的所述电介质膜。
原子沉积氮化原位掺杂

[发明专利]移除氧化铜的技术-CN201280021915.X无效
发明人： W·叶;V·恩古耶;石美仪;M·巴尔塞努;夏立群;D·R·威蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。
氧化铜技术

[发明专利]具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存-CN201310136257.5无效
发明人： M·巴尔塞努;V·佐泊考伏;夏立群;A·诺利;R·阿尔加瓦尼;D·R·威蒂;A·奥-巴亚缇 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。
具有氮化电荷陷阱挥发性内存

[发明专利]结晶锗的等离子体增强化学气相沉积-CN201180028979.8无效
发明人： V·T·恩古耶;夏立群;M·巴尔塞努;D·R·威蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在沉积结晶锗层于基板上的方法中，基板放置在处理区中，所述处理区包含一对处理电极。在沉积阶段，将结晶锗层沉积在所述基板上是通过以下步骤：将包含含锗气体的沉积气体导入所述处理区，以及，藉由将能量耦合所述处理电极而形成所述沉积气体的电容式耦合等离子体。在后续处理阶段，通过将所述结晶锗层暴露到经激发的处理气体或通过退火所述层，而处理所述沉积的结晶锗层。
结晶等离子体增强化学沉积

[发明专利]对用于光刻掩模应用的富含硼的膜的设计-CN201180024727.8无效
发明人： V·恩古耶;Y·陈;M·巴尔塞努;I·罗弗劳克斯;夏立群;D·R·威蒂 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积在层堆叠基板上，并以一图案进行蚀刻。可接着以多重蚀刻化学物质蚀刻暴露的层堆叠。各个富含硼的层可具有对于多重蚀刻化学物质为最优化的不同化学成分。
用于光刻应用富含设计

[发明专利]硼膜界面工程-CN201080027470.7无效
发明人： M·巴尔塞努;夏立群;D·R·威蒂;陈滢 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-06-15 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种沉积含硼衬里层于基材上的方法，涉及双层的形成，该双层包括起始层，该起始层包括阻障物材料以抑制硼从该双层到下方基材内的扩散。
界面工程

[发明专利]具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存-CN200980142451.6无效
发明人： M·巴尔塞努;V·佐泊考伏;夏立群;A·诺利;R·阿尔加瓦尼;D·R·威蒂;A·奥-巴亚缇 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存装置及形成该闪存装置的方法。在一版本中，该闪存装置包括一掺杂氮化硅层，其具有包含碳、硼或氧的一掺杂剂。该掺杂氮化硅层在该层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供一非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。
具有氮化电荷陷阱挥发性内存

[发明专利]使用共形等离子体增强化学气相沉积(PECVD)膜来缩减关键尺寸的方法-CN200980118333.1无效
发明人：夏立群;M·巴尔塞努;谢美晔;S·李;Z·崔;M·B·奈克;M·D·阿玛柯斯特;W·H·麦克肯克尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在此提出用于在基板中形成狭窄通孔的方法和设备。利用传统微影技术将图案凹部蚀入基板内。薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。
使用等离子体增强化学沉积 pecvd 缩减关键尺寸方法

[发明专利]硼衍生的材料的沉积方法-CN200880024500.1无效
发明人： J-U·许;M·巴尔塞努;夏立群;D·威蒂;H·M·塞德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-07-03 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明揭示一种形成含硼膜的方法。该方法包含：将一含硼前体导入一腔室内，以及通过热分解工艺或等离子工艺沉积一包含硼-硼键结的网络于一基板上。该网络可以被后处理，以从该网络去除氢且增加最终含硼膜的应力。该含硼膜具有介于约-10GPa与约10GPa之间的应力，并且可以作为硼源层或诱导伸张层。
衍生材料沉积方法

[发明专利]氮化硼和氮化硼导出材料的沉积方法-CN200880016970.3有效
发明人： J-U·许;M·巴尔塞努;夏立群;V·T·恩古耶;D·R·威蒂;H·M'塞德 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2008-05-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。
氮化导出材料沉积方法

[发明专利]利用原位氮等离子体处理及非原位紫外光固化来增加氮化硅拉伸应力的方法-CN200780017771.X无效
发明人： M·巴尔塞努;V·恩古耶;夏立群;D·R·威蒂;H·M'塞德;石美仪;I·罗弗劳克斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-06-15 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于使自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。
利用原位等离子体处理紫外光固化增加氮化拉伸应力方法

[发明专利]用于介电膜层的阶梯覆盖与图案加载-CN200780012157.4无效
发明人： M·巴尔塞努;夏立群;石美仪;H·M'沙德 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L21/469 文献下载
摘要：本发明提供基板上膜层的阶梯覆盖性与图案加载(pattern loading)的控制方法。本发明一方面中，该方法包括使基板暴露在等离子体中的含硅前驱物下以沉积一膜层、使用一等离子体来处理所沉积的膜层以及重复该暴露步骤与处理步骤直到获得想要的膜层厚度。这些离子体可以是由含氧气体所生成。在另一方面中，该方法包括在其基板表面上具有至少一个已形成特征的基板上沉积一介电层，以及使用由含氧气体或含卤素气体所形成的等离子体来蚀刻该介电层，以在该特征上提供想要的介电层轮廓。可重复该沉积与蚀刻步骤多次循环直到提供期望的轮廓为止。
用于介电膜层阶梯覆盖图案加载

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